Mengapa selalu sulit untuk menguji penggunaan MOSFET daya tinggi dan penggantiannya dengan multimeter?

Tentang MOSFET berdaya tinggi telah menjadi salah satu insinyur yang tertarik untuk mendiskusikan topik ini, jadi kami telah mengatur pengetahuan umum dan tidak biasa tentang MOSFET daya tinggi.MOSFET, saya berharap dapat membantu para insinyur. Mari kita bicara tentang MOSFET, komponen yang sangat penting!

Perlindungan anti-statis

MOSFET berdaya tinggi adalah tabung efek medan gerbang terisolasi, gerbangnya bukan rangkaian arus searah, impedansi masukannya sangat tinggi, sangat mudah menyebabkan agregasi muatan statis, sehingga tegangan tinggi akan menjadi gerbang dan sumbernya. lapisan isolasi antara kerusakan.

Sebagian besar MOSFET produksi awal tidak memiliki tindakan anti-statis, jadi berhati-hatilah dalam penyimpanan dan penerapannya, terutama MOSFET dengan daya yang lebih kecil, karena daya yang lebih kecil, kapasitansi masukan MOSFET relatif kecil, bila terkena listrik statis akan menghasilkan a tegangan lebih tinggi, mudah disebabkan oleh kerusakan elektrostatik.

Peningkatan MOSFET daya tinggi baru-baru ini memiliki perbedaan yang relatif besar, pertama-tama, karena fungsi kapasitansi masukan yang lebih besar juga lebih besar, sehingga kontak dengan listrik statis memiliki proses pengisian, menghasilkan tegangan yang lebih kecil, menyebabkan kerusakan dari kemungkinan yang lebih kecil, dan sekali lagi, sekarang MOSFET daya tinggi di gerbang internal dan sumber gerbang dan sumber regulator yang dilindungi DZ, statis yang tertanam dalam perlindungan nilai pengatur tegangan dioda regulator Di bawah ini, secara efektif melindungi gerbang dan sumbernya lapisan isolasi, daya yang berbeda, model yang berbeda dari regulator perlindungan MOSFET nilai regulator tegangan dioda berbeda.

Meskipun tindakan perlindungan internal MOSFET berdaya tinggi, kita harus beroperasi sesuai dengan prosedur operasi anti-statis, yang harus dimiliki oleh staf pemeliharaan yang berkualifikasi.

Deteksi dan penggantian

Dalam perbaikan televisi dan peralatan listrik, akan menemui berbagai macam kerusakan komponen,MOSFETjuga di antaranya, yaitu bagaimana staf pemeliharaan kami menggunakan multimeter yang biasa digunakan untuk menentukan MOSFET yang baik dan buruk, baik dan buruk. Dalam penggantian MOSFET jika tidak ada pabrikan yang sama dan model yang sama, bagaimana cara menggantinya yang bermasalah.

1, tes MOSFET daya tinggi:

Sebagai petugas reparasi TV kelistrikan pada umumnya dalam pengukuran transistor atau dioda kristal, umumnya menggunakan multimeter biasa untuk menentukan baik buruknya transistor atau dioda, walaupun penilaian parameter kelistrikan transistor atau dioda tidak dapat dipastikan, namun selama metode yang benar untuk konfirmasi transistor kristal "baik" dan "buruk" atau "buruk" untuk konfirmasi transistor kristal. "Buruk" atau tidak ada masalah. Demikian pula MOSFET juga bisa

Penggunaan multimeter untuk menentukan “baik” dan “buruknya”, dari perawatan umum, juga dapat memenuhi kebutuhan.

Pendeteksiannya harus menggunakan multimeter tipe pointer (meter digital tidak cocok untuk mengukur perangkat semikonduktor). Untuk tabung switching MOSFET tipe daya adalah peningkatan saluran-N, produk dari pabrikan hampir semuanya menggunakan bentuk paket TO-220F yang sama (mengacu pada catu daya switching untuk daya 50-200W dari tabung switching efek medan) , susunan tiga elektroda juga konsisten, yaitu ketiganya

Pin ke bawah, model cetak menghadap ke diri, pin kiri untuk gate, pin uji kanan untuk sumber, pin tengah untuk saluran pembuangan.

(1) multimeter dan persiapan terkait:

Pertama-tama sebelum melakukan pengukuran harus bisa menggunakan multimeter terutama penerapan ohm gear, untuk memahami blok ohm maka penerapan blok ohm yang benar untuk mengukur transistor kristal danMOSFET.

Dengan multimeter ohm blok skala pusat ohm tidak boleh terlalu besar, sebaiknya kurang dari 12 Ω (tabel tipe 500 untuk 12 Ω), sehingga pada blok R × 1 dapat memiliki arus yang lebih besar, untuk sambungan PN maju karakteristik putusannya lebih akurat. Baterai internal blok Multimeter R × 10K sebaiknya lebih besar dari 9V, sehingga dalam mengukur arus kebocoran terbalik sambungan PN lebih akurat, jika tidak, kebocoran tidak dapat diukur.

Sekarang karena kemajuan proses produksi, penyaringan pabrik, pengujian sangat ketat, kita umumnya menilai selama penilaian MOSFET tidak bocor, tidak menerobos korsleting, internal non-sirkuit, bisa jadi diperbesar dalam perjalanan, caranya sangat sederhana:

Menggunakan blok multimeter R × 10K; Baterai internal blok R × 10K umumnya 9V ditambah 1,5V hingga 10,5V. Tegangan ini umumnya dinilai cukup untuk kebocoran inversi sambungan PN, pena merah multimeter adalah potensial negatif (terhubung ke terminal negatif baterai internal), pena hitam multimeter potensial positif (terhubung ke terminal positif baterai internal).

(2) Prosedur pengujian:

Hubungkan pena merah ke sumber MOSFET S; sambungkan pena hitam ke saluran pembuangan MOSFET D. Pada saat ini, indikasi jarum harus tak terhingga. Jika terdapat indeks ohmik yang menunjukkan bahwa tabung yang diuji mengalami fenomena kebocoran, tabung tersebut tidak dapat digunakan.

Pertahankan kondisi di atas; saat ini dengan resistor 100K ~ 200K terhubung ke gerbang dan saluran pembuangan; pada saat ini jarum harus menunjukkan jumlah ohm semakin kecil semakin baik, umumnya dapat ditunjukkan ke 0 ohm, kali ini adalah muatan positif melalui resistor 100K pada pengisian gerbang MOSFET, menghasilkan medan listrik gerbang, karena medan listrik yang dihasilkan oleh saluran konduktif mengakibatkan konduksi saluran dan sumber, sehingga defleksi jarum multimeter, sudut defleksi besar (indeks Ohm kecil) membuktikan bahwa kinerja pelepasannya baik.

Kemudian dihubungkan dengan resistor dilepas, maka penunjuk multimeter harus tetap MOSFET pada indeks tetap tidak berubah. Meskipun resistornya diambil, namun karena resistor yang menuju ke gerbang yang diisi oleh muatan tidak hilang, medan listrik gerbang terus mempertahankan saluran konduktif internal tetap dipertahankan, yang merupakan karakteristik MOSFET tipe gerbang terisolasi.

Jika resistor diambil, jarum akan perlahan dan bertahap kembali ke resistansi tinggi atau bahkan kembali hingga tak terhingga, perlu dipertimbangkan kebocoran gerbang tabung yang diukur.

Pada saat ini dengan kawat yang dihubungkan ke gerbang dan sumber tabung yang diuji, penunjuk multimeter segera kembali ke tak terhingga. Sambungan kawat sehingga MOSFET terukur, pelepasan muatan gerbang, medan listrik internal menghilang; saluran konduktif juga hilang, sehingga saluran dan sumber antara hambatan menjadi tidak terbatas.

2, penggantian MOSFET daya tinggi

Dalam perbaikan televisi dan segala jenis peralatan listrik yang mengalami kerusakan komponen sebaiknya diganti dengan komponen sejenis. Namun terkadang komponen yang sama tidak tersedia, sehingga perlu menggunakan jenis pengganti lain, sehingga kita harus memperhitungkan semua aspek kinerja, parameter, dimensi, dll, seperti televisi di dalam tabung keluaran saluran, seperti asalkan pertimbangan tegangan, arus, daya umumnya dapat diganti (tabung keluaran saluran dimensi tampilannya hampir sama), dan daya cenderung lebih besar dan lebih baik.

Untuk penggantian MOSFET, meskipun juga prinsip ini, yang terbaik adalah membuat prototipe yang terbaik, khususnya jangan mengejar daya yang lebih besar, karena daya yang besar; kapasitansi input besar, rangkaian berubah dan eksitasi tidak sesuai dengan eksitasi resistor pembatas arus muatan dari rangkaian irigasi Ukuran nilai resistansi dan kapasitansi input MOSFET terkait dengan pemilihan daya yang besar meskipun Kapasitasnya besar, tetapi kapasitansi masukannya juga besar, kapasitansi masukannya juga besar, dan dayanya tidak besar.

Kapasitansi inputnya juga besar, rangkaian eksitasinya kurang baik, yang pada gilirannya akan membuat kinerja on dan off MOSFET menjadi buruk. Menunjukkan penggantian model MOSFET yang berbeda, dengan mempertimbangkan kapasitansi input parameter ini.

Misalnya, ada kerusakan papan tegangan tinggi lampu latar TV LCD 42 inci, setelah memeriksa kerusakan MOSFET daya tinggi internal, karena tidak ada nomor prototipe penggantian, pilihan tegangan, arus, daya tidak kurang dari penggantian MOSFET asli, akibatnya tabung lampu latar tampak berkedip terus menerus (kesulitan startup), dan akhirnya diganti dengan tipe yang sama dengan aslinya untuk mengatasi masalah tersebut.

Terdeteksi kerusakan pada MOSFET daya tinggi, penggantian komponen periferal rangkaian perfusi juga harus diganti, karena kerusakan pada MOSFET mungkin juga merupakan komponen rangkaian perfusi yang buruk yang disebabkan oleh kerusakan pada MOSFET. Sekalipun MOSFET itu sendiri rusak, saat MOSFET rusak, komponen rangkaian perfusi juga ikut rusak dan harus diganti.

Sama seperti kita memiliki banyak ahli perbaikan yang pandai dalam perbaikan catu daya switching A3; selama tabung switching ditemukan rusak, itu juga merupakan bagian depan tabung eksitasi 2SC3807 bersama dengan penggantian alasan yang sama (walaupun tabung 2SC3807, diukur dengan multimeter bagus).