Apa perbedaan antara MOSFET dan IGBT? Olukey akan menjawab pertanyaan Anda!

Sebagai elemen switching, MOSFET dan IGBT sering muncul dalam rangkaian elektronik. Mereka juga serupa dalam penampilan dan parameter karakteristik. Saya yakin banyak orang akan bertanya-tanya mengapa beberapa rangkaian perlu menggunakan MOSFET, sementara yang lain perlu. IGBT?

Apa perbedaan di antara keduanya? Berikutnya,Olukeyakan menjawab pertanyaan Anda!

Apa itu aMOSFET?

MOSFET, nama lengkap Cina adalah transistor efek medan semikonduktor oksida logam. Karena gerbang transistor efek medan ini diisolasi oleh lapisan isolasi, maka disebut juga transistor efek medan gerbang terisolasi. MOSFET dapat dibagi menjadi dua jenis: "tipe-N" dan "tipe-P" sesuai dengan polaritas "saluran"-nya (pembawa kerja), biasanya juga disebut N MOSFET dan P MOSFET.

MOSFET sendiri memiliki dioda parasitnya sendiri, yang digunakan untuk mencegah MOSFET terbakar ketika VDD kelebihan tegangan. Karena sebelum tegangan lebih menyebabkan kerusakan pada MOSFET, dioda akan rusak terlebih dahulu dan mengarahkan arus yang besar ke ground, sehingga mencegah MOSFET terbakar.

Apa itu IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah perangkat semikonduktor gabungan yang terdiri dari transistor dan MOSFET.

Simbol rangkaian IGBT belum menyatu. Saat menggambar diagram skematik, simbol triode dan MOSFET umumnya dipinjam. Saat ini, Anda dapat menilai apakah itu IGBT atau MOSFET dari model yang ditandai pada diagram skematik.

Pada saat yang sama, Anda juga harus memperhatikan apakah IGBT memiliki dioda badan. Jika tidak diberi tanda pada gambar, bukan berarti tidak ada. Kecuali jika data resmi secara khusus menyatakan sebaliknya, dioda ini ada. Dioda tubuh di dalam IGBT tidak bersifat parasit, tetapi dirancang khusus untuk melindungi tegangan tahan balik IGBT yang rapuh. Ini juga disebut FWD (dioda freewheeling).

Struktur internal keduanya berbeda

Tiga kutub MOSFET adalah source (S), drain (D) dan gate (G).

Tiga kutub IGBT adalah kolektor (C), emitor (E) dan gerbang (G).

IGBT dibuat dengan menambahkan lapisan tambahan ke saluran MOSFET. Struktur internal mereka adalah sebagai berikut:

Bidang penerapan keduanya berbeda

Struktur internal MOSFET dan IGBT berbeda, yang menentukan bidang penerapannya.

Karena struktur MOSFET biasanya dapat mencapai arus yang besar hingga mencapai KA, namun kemampuan menahan tegangan yang disyaratkan tidak sekuat IGBT. Area aplikasi utamanya adalah mengganti catu daya, ballast, pemanas induksi frekuensi tinggi, mesin las inverter frekuensi tinggi, catu daya komunikasi, dan bidang catu daya frekuensi tinggi lainnya.

IGBT dapat menghasilkan daya, arus dan tegangan yang besar, namun frekuensinya tidak terlalu tinggi. Saat ini, kecepatan peralihan keras IGBT bisa mencapai 100KHZ. IGBT banyak digunakan pada mesin las, inverter, konverter frekuensi, catu daya elektrolitik pelapisan listrik, pemanas induksi ultrasonik, dan bidang lainnya.

Fitur utama MOSFET dan IGBT

MOSFET memiliki karakteristik impedansi masukan yang tinggi, kecepatan peralihan yang cepat, stabilitas termal yang baik, arus pengatur tegangan, dll. Dalam rangkaian, dapat digunakan sebagai penguat, saklar elektronik dan keperluan lainnya.

Sebagai perangkat semikonduktor elektronik jenis baru, IGBT memiliki karakteristik impedansi input tinggi, konsumsi daya kontrol tegangan rendah, rangkaian kontrol sederhana, resistansi tegangan tinggi, dan toleransi arus besar, serta telah banyak digunakan di berbagai rangkaian elektronik.

Rangkaian ekivalen ideal IGBT ditunjukkan pada gambar di bawah. IGBT sebenarnya merupakan kombinasi MOSFET dan transistor. MOSFET mempunyai kelemahan yaitu resistansi yang tinggi, namun IGBT mengatasi kekurangan ini. IGBT masih memiliki resistansi rendah pada tegangan tinggi. .

Secara umum kelebihan MOSFET adalah memiliki karakteristik frekuensi tinggi yang baik dan dapat beroperasi pada frekuensi ratusan kHz hingga MHz. Kerugiannya adalah resistansi on-nya besar dan konsumsi dayanya besar dalam situasi tegangan tinggi dan arus tinggi. IGBT bekerja dengan baik dalam situasi frekuensi rendah dan daya tinggi, dengan resistansi kecil dan tegangan resistansi tinggi.

Pilih MOSFET atau IGBT

Di sirkuit, apakah akan memilih MOSFET sebagai tabung saklar daya atau IGBT adalah pertanyaan yang sering dihadapi para insinyur. Jika faktor-faktor seperti tegangan, arus, dan daya switching sistem dipertimbangkan, poin-poin berikut dapat diringkas:

Orang sering bertanya: “Apakah MOSFET atau IGBT lebih baik?” Sebenarnya tidak ada perbedaan baik dan buruk diantara keduanya. Yang terpenting adalah melihat penerapan sebenarnya.

Jika Anda masih memiliki pertanyaan tentang perbedaan antara MOSFET dan IGBT, Anda dapat menghubungi Olukey untuk detailnya.

Olukey terutama mendistribusikan produk MOSFET tegangan menengah dan rendah WINSOK. Produk banyak digunakan dalam industri militer, papan driver LED/LCD, papan driver motor, pengisian cepat, rokok elektronik, monitor LCD, catu daya, peralatan rumah tangga kecil, produk medis, dan produk Bluetooth. Timbangan elektronik, elektronik kendaraan, produk jaringan, peralatan rumah tangga, periferal komputer dan berbagai produk digital.