Apa penyebab pemanasan MOSFET inverter?

MOSFET inverter beroperasi dalam keadaan switching dan arus yang mengalir melalui MOSFET sangat tinggi. Jika MOSFET tidak dipilih dengan benar, amplitudo tegangan penggerak tidak cukup besar atau pembuangan panas rangkaian tidak baik, hal ini dapat menyebabkan MOSFET menjadi panas.

1, pemanasan MOSFET inverter serius, harus memperhatikanMOSFETpilihan

MOSFET pada inverter dalam keadaan switching, umumnya memerlukan arus drain sebesar mungkin, resistansi on-resistance sekecil mungkin, sehingga penurunan tegangan saturasi MOSFET dapat dikurangi, sehingga mengurangi MOSFET sejak konsumsi, mengurangi panas.

Periksa manual MOSFET, kita akan menemukan bahwa semakin tinggi nilai tegangan tahan MOSFET, semakin besar resistansinya, dan dengan arus drain yang tinggi, nilai tegangan tahan MOSFET yang rendah, resistansinya umumnya di bawah puluhan. miliohm.

Dengan asumsi arus beban 5A, kami memilih inverter yang umum digunakan MOSFETRU75N08R dan nilai tegangan tahan 500V 840 bisa, arus pembuangannya berada di 5A atau lebih, tetapi resistansi kedua MOSFET berbeda, menggerakkan arus yang sama , perbedaan panasnya sangat besar. On-resistance 75N08R hanya 0,008Ω, sedangkan on-resistance 840 On-resistance 75N08R hanya 0,008Ω, sedangkan on-resistance 840 adalah 0,85Ω. Ketika arus beban yang mengalir melalui MOSFET adalah 5A, penurunan tegangan MOSFET 75N08R hanya 0,04V, dan konsumsi MOSFET MOSFET hanya 0,2W, sedangkan penurunan tegangan MOSFET 840 dapat mencapai 4,25W, dan konsumsi MOSFET setinggi 21,25W. Dari sini terlihat bahwa on-resistance MOSFET berbeda dengan on-resistance 75N08R, dan pembangkitan panasnya sangat jauh berbeda. Semakin kecil on-resistance dari MOSFET maka semakin baik, on-resistance dari MOSFET, tabung MOSFET dengan konsumsi arus yang tinggi cukup besar.

2, rangkaian penggerak amplitudo tegangan penggerak tidak cukup besar

MOSFET adalah perangkat kontrol tegangan, jika Anda ingin mengurangi konsumsi tabung MOSFET, mengurangi panas, amplitudo tegangan penggerak gerbang MOSFET harus cukup besar, mendorong tepi pulsa menjadi curam, dapat mengurangiMOSFETpenurunan tegangan tabung, kurangi konsumsi tabung MOSFET.

3, pembuangan panas MOSFET bukan penyebab yang baik

Pemanasan inverter MOSFET serius. Karena konsumsi tabung MOSFET inverter besar, pekerjaan umumnya memerlukan area eksternal yang cukup besar dari heat sink, dan heat sink eksternal dan MOSFET itu sendiri antara heat sink harus berada dalam kontak dekat (umumnya harus dilapisi dengan konduktif termal minyak silikon), jika unit pendingin eksternal lebih kecil, atau MOSFET itu sendiri tidak cukup dekat dengan kontak unit pendingin, dapat menyebabkan pemanasan MOSFET.

Pemanasan serius inverter MOSFET ada empat alasan untuk ringkasannya.

MOSFET sedikit pemanasan adalah fenomena normal, namun pemanasannya serius, dan bahkan menyebabkan MOSFET terbakar, ada empat alasan berikut:

1, masalah desain sirkuit

Biarkan MOSFET bekerja dalam keadaan operasi linier, bukan dalam keadaan rangkaian switching. Ini juga merupakan salah satu penyebab pemanasan MOSFET. Jika N-MOS melakukan peralihan, tegangan level G harus beberapa V lebih tinggi dari catu daya agar dapat menyala sepenuhnya, sedangkan P-MOS sebaliknya. Tidak terbuka penuh dan jatuh tegangan terlalu besar mengakibatkan konsumsi daya, impedansi DC setara lebih besar, jatuh tegangan meningkat, jadi U * I juga meningkat, kerugian berarti panas. Ini adalah kesalahan yang paling dihindari dalam desain rangkaian.

2, frekuensi terlalu tinggi

Alasan utamanya adalah terkadang pengejaran volume yang berlebihan, mengakibatkan peningkatan frekuensi,MOSFETkerugiannya besar, sehingga panasnya juga meningkat.

3, desain termal tidak cukup

Jika arusnya terlalu tinggi, nilai arus nominal MOSFET biasanya memerlukan pembuangan panas yang baik untuk mencapainya. Jadi ID kurang dari arus maksimum, mungkin juga memanas dengan buruk, memerlukan heat sink tambahan yang cukup.

4, pemilihan MOSFET salah

Penilaian daya yang salah, resistansi internal MOSFET tidak sepenuhnya dipertimbangkan, mengakibatkan peningkatan impedansi peralihan.