Olukey menjelaskan parameter MOSFET untuk Anda!

Sebagai salah satu perangkat paling dasar di bidang semikonduktor, MOSFET banyak digunakan baik dalam desain IC maupun aplikasi rangkaian tingkat papan. Jadi seberapa banyak yang Anda ketahui tentang berbagai parameter MOSFET? Sebagai spesialis MOSFET tegangan menengah dan rendah,Olukeyakan menjelaskan kepada Anda secara rinci berbagai parameter MOSFET!

Tegangan penahan sumber saluran maksimum VDSS

Tegangan sumber saluran ketika arus saluran yang mengalir mencapai nilai tertentu (meningkat tajam) pada suhu tertentu dan hubung singkat sumber gerbang. Tegangan sumber saluran dalam hal ini disebut juga tegangan tembus longsoran. VDSS memiliki koefisien suhu positif. Pada suhu -50°C, VDSS kira-kira 90% dari VDSS pada suhu 25°C. Karena kelonggaran yang biasanya tersisa dalam produksi normal, tegangan tembus longsoran sebesarMOSFETselalu lebih besar dari tegangan pengenal nominal.

Pengingat hangat Olukey: Untuk memastikan keandalan produk, dalam kondisi kerja terburuk, disarankan agar tegangan kerja tidak melebihi 80~90% dari nilai pengenal.

Tegangan penahan sumber gerbang maksimum VGSS

Ini mengacu pada nilai VGS ketika arus balik antara gerbang dan sumber mulai meningkat tajam. Melebihi nilai tegangan ini akan menyebabkan kerusakan dielektrik pada lapisan oksida gerbang, yang merupakan kerusakan yang merusak dan tidak dapat diubah.

ID arus sumber pembuangan maksimum

Ini mengacu pada arus maksimum yang diperbolehkan untuk mengalir antara saluran dan sumber ketika transistor efek medan beroperasi secara normal. Arus operasi MOSFET tidak boleh melebihi ID. Parameter ini akan menurun seiring dengan meningkatnya suhu sambungan.

Arus sumber pengurasan pulsa maksimum IDM

Mencerminkan tingkat arus pulsa yang dapat ditangani perangkat. Parameter ini akan menurun seiring dengan meningkatnya suhu persimpangan. Jika parameter ini terlalu kecil, sistem mungkin berisiko rusak oleh arus selama pengujian OCP.

Disipasi daya maksimum PD

Ini mengacu pada disipasi daya sumber pembuangan maksimum yang diperbolehkan tanpa menurunkan kinerja transistor efek medan. Ketika digunakan, konsumsi daya sebenarnya dari transistor efek medan harus lebih kecil dari PDSM dan menyisakan margin tertentu. Parameter ini umumnya menurun seiring dengan meningkatnya suhu sambungan.

TJ, TSTG suhu pengoperasian dan kisaran suhu lingkungan penyimpanan

Kedua parameter ini mengkalibrasi kisaran suhu sambungan yang diizinkan oleh lingkungan pengoperasian dan penyimpanan perangkat. Kisaran suhu ini diatur untuk memenuhi persyaratan masa pakai minimum perangkat. Jika perangkat dipastikan beroperasi dalam kisaran suhu ini, masa pakainya akan jauh lebih lama.