Saat merancang catu daya switching atau rangkaian penggerak motor menggunakanMOSFET, faktor-faktor seperti resistansi aktif, tegangan maksimum, dan arus maksimum MOS umumnya dipertimbangkan.
Tabung MOSFET adalah jenis FET yang dapat dibuat sebagai tipe peningkatan atau deplesi, saluran P atau saluran N dengan total 4 jenis. peningkatan NMOSFET dan peningkatan PMOSFET umumnya digunakan, dan keduanya biasanya disebutkan.
Kedua yang lebih umum digunakan adalah NMOS. alasannya adalah resistansi konduktifnya kecil dan mudah dibuat. Oleh karena itu, NMOS biasanya digunakan dalam aplikasi switching catu daya dan penggerak motor.
Di dalam MOSFET, thyristor ditempatkan di antara saluran pembuangan dan sumber, yang sangat penting dalam menggerakkan beban induktif seperti motor, dan hanya terdapat dalam satu MOSFET, biasanya tidak dalam chip sirkuit terintegrasi.
Kapasitansi parasit ada di antara ketiga pin MOSFET, bukan karena kita membutuhkannya, tetapi karena keterbatasan proses pembuatannya. Kehadiran kapasitansi parasit membuatnya lebih rumit ketika merancang atau memilih rangkaian driver, namun hal ini tidak dapat dihindari.
Parameter utama dariMOSFET
1, tegangan terbuka VT
Tegangan terbuka (juga dikenal sebagai tegangan ambang batas): sehingga tegangan gerbang diperlukan untuk mulai membentuk saluran konduktif antara sumber S dan saluran D; MOSFET N-channel standar, VT sekitar 3 ~ 6V; melalui perbaikan proses, nilai MOSFET VT dapat dikurangi menjadi 2 ~ 3V.
2, resistansi masukan DC RGS
Rasio tegangan tambahan antara tiang sumber gerbang dan arus gerbang Karakteristik ini kadang-kadang dinyatakan dengan arus gerbang yang mengalir melalui gerbang, RGS MOSFET dapat dengan mudah melebihi 1010Ω.
3. Tiriskan sumber kerusakan tegangan BVDS.
Pada kondisi VGS = 0 (ditingkatkan), dalam proses peningkatan tegangan sumber saluran, ID meningkat tajam ketika VDS disebut tegangan tembus sumber saluran BVDS, ID meningkat tajam karena dua alasan: (1) longsoran salju rusaknya lapisan penipisan di dekat saluran pembuangan, (2) kerusakan penetrasi antara saluran pembuangan dan kutub sumber, beberapa MOSFET yang memiliki panjang parit lebih pendek meningkatkan VDS sehingga lapisan saluran di daerah saluran meluas ke daerah sumber, membuat panjang Saluran menjadi nol, yaitu untuk menghasilkan penetrasi sumber saluran, penetrasi, sebagian besar pembawa di daerah sumber akan langsung tertarik oleh medan listrik dari lapisan penipisan ke daerah saluran, sehingga menghasilkan ID yang besar .
4, tegangan rusaknya sumber gerbang BVGS
Ketika tegangan gerbang dinaikkan, VGS ketika IG dinaikkan dari nol disebut tegangan tembus sumber gerbang BVGS.
5、Transkonduktansi frekuensi rendah
Ketika VDS adalah nilai tetap, rasio variasi mikro arus saluran dengan variasi mikro tegangan sumber gerbang yang menyebabkan perubahan disebut transkonduktansi, yang mencerminkan kemampuan tegangan sumber gerbang untuk mengontrol arus saluran, dan merupakan parameter penting yang mencirikan kemampuan amplifikasiMOSFET.
6, RON pada resistansi
RON on-resistance menunjukkan pengaruh VDS terhadap ID, merupakan kebalikan dari kemiringan garis singgung karakteristik saluran pada suatu titik tertentu, pada daerah jenuh ID hampir tidak berubah terhadap VDS, RON sangat besar nilainya, umumnya dalam puluhan kilo-Ohm hingga ratusan kilo-Ohm, karena pada rangkaian digital, MOSFET sering bekerja pada keadaan konduktif VDS = 0, sehingga pada titik ini, RON on-resistance dapat didekati dengan asal RON untuk memperkirakan, untuk MOSFET umum, nilai RON dalam beberapa ratus ohm.
7, kapasitansi antar-polar
Kapasitansi interpolar terdapat di antara tiga elektroda: kapasitansi sumber gerbang CGS, kapasitansi saluran gerbang CGD dan kapasitansi sumber saluran CDS-CGS dan CGD sekitar 1~3pF, CDS sekitar 0,1~1pF.
8、Faktor kebisingan frekuensi rendah
Kebisingan disebabkan oleh ketidakteraturan pergerakan pembawa di dalam pipa. Karena keberadaannya, variasi tegangan atau arus yang tidak teratur terjadi pada keluaran meskipun tidak ada sinyal yang dikirimkan oleh penguat. Kinerja kebisingan biasanya dinyatakan dalam faktor kebisingan NF. Satuannya adalah desibel (dB). Semakin kecil nilainya, semakin sedikit kebisingan yang dihasilkan tabung tersebut. Faktor kebisingan frekuensi rendah adalah faktor kebisingan yang diukur dalam rentang frekuensi rendah. Faktor kebisingan dari tabung efek medan adalah sekitar beberapa dB, kurang dari triode bipolar.
Waktu posting: 24 April-2024
