Ini adalah paketMOSFETsensor inframerah piroelektrik. Bingkai persegi panjang adalah jendela penginderaan. Pin G adalah terminal ground, pin D adalah saluran MOSFET internal, dan pin S adalah sumber MOSFET internal. Pada rangkaian, G dihubungkan ke ground, D dihubungkan ke catu daya positif, sinyal infra merah dimasukan dari jendela, dan sinyal listrik dikeluarkan dari S.
Gerbang penghakiman G
Driver MOS terutama memainkan peran pembentukan gelombang dan peningkatan penggerak: Jika bentuk gelombang sinyal GMOSFETtidak cukup curam, hal ini akan menyebabkan hilangnya daya dalam jumlah besar selama tahap peralihan. Efek sampingnya adalah mengurangi efisiensi konversi rangkaian. MOSFET akan mengalami demam parah dan mudah rusak oleh panas. Ada kapasitansi tertentu antara MOSFETGS. , jika kemampuan penggerak sinyal G tidak mencukupi, hal ini akan sangat mempengaruhi waktu lompatan bentuk gelombang.
Hubungan pendek kutub GS, pilih level R×1 pada multimeter, sambungkan kabel uji hitam ke kutub S, dan kabel uji merah ke kutub D. Resistansinya harus beberapa Ω hingga lebih dari sepuluh Ω. Jika diketahui resistansi suatu pin tertentu dan kedua pinnya tidak terhingga, dan tetap tidak terhingga setelah dilakukan pertukaran kabel uji, maka dipastikan pin tersebut adalah kutub G, karena diisolasi dari dua pin lainnya.
Tentukan sumber S dan tiriskan D
Atur multimeter ke R×1k dan ukur resistansi antara ketiga pin masing-masing. Gunakan metode pertukaran kabel uji untuk mengukur resistansi dua kali. Resistansi yang nilai resistansinya lebih rendah (umumnya beberapa ribu Ω hingga lebih dari sepuluh ribu Ω) disebut resistansi maju. Pada saat ini, kabel uji berwarna hitam adalah kutub S dan kabel uji berwarna merah dihubungkan ke kutub D. Karena kondisi pengujian yang berbeda, nilai RDS(on) yang diukur lebih tinggi dari nilai tipikal yang diberikan dalam manual.
TentangMOSFET
Transistor mempunyai saluran tipe-N sehingga disebut saluran-NMOSFET, atauNMOS. FET MOS saluran-P (PMOS) juga ada, yang merupakan PMOSFET yang terdiri dari BACKGATE tipe-N yang didoping ringan serta sumber dan saluran tipe-P.
Terlepas dari MOSFET tipe-N atau tipe-P, prinsip kerjanya pada dasarnya sama. MOSFET mengontrol arus pada saluran terminal keluaran dengan tegangan yang diberikan ke gerbang terminal masukan. MOSFET adalah perangkat yang dikontrol tegangan. Ini mengontrol karakteristik perangkat melalui tegangan yang diterapkan ke gerbang. Ini tidak menyebabkan efek penyimpanan muatan yang disebabkan oleh arus basis ketika transistor digunakan untuk switching. Oleh karena itu, dalam berpindah aplikasi,MOSFETharus beralih lebih cepat dari transistor.
FET juga mendapatkan namanya dari fakta bahwa masukannya (disebut gerbang) mempengaruhi arus yang mengalir melalui transistor dengan memproyeksikan medan listrik ke lapisan isolasi. Faktanya, tidak ada arus yang mengalir melalui isolator ini, sehingga arus GATE tabung FET sangat kecil.
FET yang paling umum menggunakan lapisan tipis silikon dioksida sebagai isolator di bawah GATE.
Transistor jenis ini disebut transistor semikonduktor oksida logam (MOS), atau transistor efek medan semikonduktor oksida logam (MOSFET). Karena MOSFET lebih kecil dan lebih hemat daya, MOSFET telah menggantikan transistor bipolar dalam banyak aplikasi.
Waktu posting: 10 November 2023
