MOSFETbanyak digunakan. Sekarang beberapa sirkuit terpadu skala besar menggunakan MOSFET, fungsi dasar dan transistor BJT, adalah switching dan amplifikasi. Pada dasarnya triode BJT dapat digunakan dimana saja, dan di beberapa tempat performanya lebih baik dibandingkan triode.
Amplifikasi MOSFET
Triode MOSFET dan BJT, meskipun keduanya merupakan perangkat penguat semikonduktor, namun memiliki kelebihan lebih dari triode, seperti resistansi masukan yang tinggi, sumber sinyal hampir tidak ada arus, yang kondusif bagi kestabilan sinyal masukan. Ini adalah perangkat yang ideal sebagai penguat tahap masukan, dan juga memiliki keunggulan kebisingan rendah dan stabilitas suhu yang baik. Ini sering digunakan sebagai preamplifier untuk rangkaian amplifikasi audio. Namun, karena ini adalah perangkat arus yang dikontrol tegangan, arus pembuangan dikendalikan oleh tegangan antara sumber gerbang, koefisien amplifikasi transkonduktansi frekuensi rendah umumnya tidak besar, sehingga kemampuan amplifikasinya buruk.
Beralih efek MOSFET
MOSFET digunakan sebagai saklar elektronik, karena hanya mengandalkan konduktivitas polion, tidak ada trioda seperti BJT karena arus basis dan efek penyimpanan muatan, sehingga kecepatan peralihan MOSFET lebih cepat dari triode, sebagai tabung switching sering digunakan untuk kejadian arus tinggi frekuensi tinggi, seperti peralihan catu daya yang digunakan dalam MOSFET dalam keadaan kerja arus tinggi frekuensi tinggi. Dibandingkan dengan sakelar triode BJT, sakelar MOSFET dapat beroperasi pada tegangan dan arus yang lebih kecil, dan lebih mudah diintegrasikan pada wafer silikon, sehingga banyak digunakan dalam sirkuit terpadu skala besar.
Apa tindakan pencegahan saat menggunakanMOSFET?
MOSFET lebih halus daripada triode dan mudah rusak jika digunakan secara tidak benar, jadi perhatian khusus harus diberikan saat menggunakannya.
(1) Penting untuk memilih jenis MOSFET yang sesuai untuk berbagai kesempatan penggunaan.
(2) MOSFET, terutama MOSFET gerbang berinsulasi, memiliki impedansi masukan yang tinggi, dan harus dihubung pendek ke setiap elektroda bila tidak digunakan untuk menghindari kerusakan pada tabung akibat muatan induktansi gerbang.
(3) Tegangan sumber gerbang MOSFET sambungan tidak dapat dibalik, tetapi dapat disimpan dalam keadaan rangkaian terbuka.
(4) Untuk menjaga impedansi masukan MOSFET yang tinggi, tabung harus dilindungi dari kelembaban dan tetap kering di lingkungan penggunaan.
(5) Benda bermuatan (seperti besi solder, instrumen uji, dll.) yang bersentuhan dengan MOSFET perlu dibumikan untuk menghindari kerusakan pada tabung. Khususnya saat mengelas MOSFET gerbang berinsulasi, menurut urutan pengelasan berurutan sumber - gerbang, yang terbaik adalah mengelas setelah dimatikan. Kekuatan besi solder hingga 15 ~ 30W sesuai, waktu pengelasan tidak boleh melebihi 10 detik.
(6) MOSFET gerbang berinsulasi tidak dapat diuji dengan multimeter, hanya dapat diuji dengan penguji, dan hanya setelah akses ke penguji untuk melepaskan kabel hubung singkat pada elektroda. Saat dilepas, elektroda perlu dihubung pendek sebelum dilepas untuk menghindari gerbang yang menggantung.
(7) Saat menggunakanMOSFETdengan kabel media, kabel media harus tersambung dengan benar.
Waktu posting: 23 April-2024
