Struktur Logam-Oksida-SemIKonduktor dari transistor kristal biasa dikenal denganMOSFET, dimana MOSFET dibagi menjadi MOSFET tipe-P dan MOSFET tipe-N. Sirkuit terpadu yang terdiri dari MOSFET juga disebut sirkuit terpadu MOSFET, dan sirkuit terpadu MOSFET yang terkait erat terdiri dari PMOSFET danNMOSFET disebut sirkuit terpadu CMOSFET.
MOSFET yang terdiri dari substrat tipe-p dan dua area penyebaran n dengan nilai konsentrasi tinggi disebut saluran-n.MOSFET, dan saluran konduktif yang disebabkan oleh saluran konduktif tipe-n disebabkan oleh jalur penyebaran n pada dua jalur penyebaran n dengan nilai konsentrasi tinggi pada saat tabung berkonduksi. MOSFET menebal saluran-n memiliki saluran-n yang disebabkan oleh saluran konduktif ketika bias arah positif dinaikkan sebanyak mungkin pada gerbang dan hanya ketika operasi sumber gerbang memerlukan tegangan operasi melebihi tegangan ambang batas. MOSFET penipisan saluran-n adalah MOSFET yang tidak siap terhadap tegangan gerbang (operasi sumber gerbang memerlukan tegangan operasi nol). MOSFET penipisan cahaya saluran-n adalah MOSFET saluran-n di mana saluran konduktif disebabkan ketika tegangan gerbang (tegangan operasi persyaratan operasi sumber gerbang adalah nol) tidak disiapkan.
Sirkuit terpadu NMOSFET adalah rangkaian catu daya MOSFET saluran-N, sirkuit terpadu NMOSFET, resistansi masukan sangat tinggi, sebagian besar tidak perlu mencerna penyerapan aliran daya, dan dengan demikian sirkuit terpadu CMOSFET dan NMOSFET terhubung tanpa harus memperhitungkan memperhitungkan beban aliran daya. Sirkuit terpadu NMOSFET, sebagian besar pemilihan rangkaian catu daya rangkaian catu daya switching positif kelompok tunggal Mayoritas sirkuit terpadu NMOSFET menggunakan rangkaian catu daya rangkaian catu daya switching positif tunggal, dan untuk 9V untuk lebih. Sirkuit terpadu CMOSFET hanya perlu menggunakan rangkaian catu daya switching yang sama dengan sirkuit terpadu NMOSFET, dapat segera dihubungkan dengan sirkuit terpadu NMOSFET. Namun, dari NMOSFET ke CMOSFET segera dihubungkan, karena resistansi pull-up keluaran NMOSFET lebih kecil dari resistansi pull-up berkunci sirkuit terpadu CMOSFET, jadi coba terapkan resistor pull-up beda potensial R, nilai resistor R adalah umumnya 2 hingga 100KΩ.
Konstruksi MOSFET penebalan saluran-N
Pada substrat silikon tipe P dengan nilai konsentrasi doping rendah, dibuat dua daerah N dengan nilai konsentrasi doping tinggi, dan dua elektroda ditarik dari logam aluminium untuk masing-masing berfungsi sebagai saluran d dan sumber s.
Kemudian pada permukaan komponen semikonduktor ditutup dengan lapisan tabung isolasi silika yang sangat tipis, pada tabung isolasi sumber saluran antara saluran dan sumber elektroda aluminium lain, sebagai gerbang g.
Elektroda B juga dibawa ke dalam substrat, yang terdiri dari MOSFET tebal saluran-N. Sumber dan substrat MOSFET umumnya dihubungkan bersama, sebagian besar pipa di pabrik telah lama dihubungkan, gerbangnya dan elektroda lainnya diisolasi di antara selubung.
Waktu posting: 26 Mei-2024
