MOSFET (Transistor Efek Medan Logam-Oksida-Semikonduktor) sering dianggap sebagai perangkat yang dikontrol sepenuhnya. Hal ini karena keadaan pengoperasian (hidup atau mati) MOSFET sepenuhnya dikendalikan oleh tegangan gerbang (Vgs) dan tidak bergantung pada arus basis seperti dalam kasus transistor bipolar (BJT).
Dalam MOSFET, tegangan gerbang Vgs menentukan apakah saluran penghantar terbentuk antara sumber dan saluran, serta lebar dan konduktivitas saluran penghantar. Ketika Vgs melebihi tegangan ambang batas Vt, saluran penghantar terbentuk dan MOSFET memasuki keadaan aktif; ketika Vgs turun di bawah Vt, saluran penghantar menghilang dan MOSFET berada dalam keadaan terputus. Kontrol ini dikontrol sepenuhnya karena tegangan gerbang dapat secara mandiri dan tepat mengontrol keadaan pengoperasian MOSFET tanpa bergantung pada parameter arus atau tegangan lainnya.
Sebaliknya, keadaan pengoperasian perangkat setengah terkontrol (misalnya thyristor) tidak hanya dipengaruhi oleh tegangan atau arus kontrol, tetapi juga oleh faktor lain (misalnya tegangan anoda, arus, dll.). Akibatnya, perangkat yang dikontrol sepenuhnya (misalnya MOSFET) biasanya menawarkan kinerja yang lebih baik dalam hal akurasi dan fleksibilitas kontrol.
Singkatnya, MOSFET adalah perangkat yang dikontrol sepenuhnya yang kondisi pengoperasiannya sepenuhnya dikontrol oleh tegangan gerbang, dan memiliki keunggulan presisi tinggi, fleksibilitas tinggi, dan konsumsi daya rendah.
Waktu posting: 20 Sep-2024
