Parameter utama MOSFET dan perbandingan dengan trioda

Transistor Efek Medan disingkatMOSFET.Ada dua jenis utama: tabung efek medan persimpangan dan tabung efek medan semikonduktor oksida logam. MOSFET juga dikenal sebagai transistor unipolar dengan mayoritas pembawa terlibat dalam konduktivitas. Mereka adalah perangkat semikonduktor yang dikontrol tegangan. Karena resistansi masukannya yang tinggi, kebisingan yang rendah, konsumsi daya yang rendah, dan karakteristik lainnya, menjadikannya pesaing kuat transistor bipolar dan transistor daya.

I. Parameter utama MOSFET

1, parameter DC

Arus drain saturasi dapat didefinisikan sebagai arus drain yang terjadi ketika tegangan antara gerbang dan sumber sama dengan nol dan tegangan antara drain dan sumber lebih besar dari tegangan pinch-off.

Tegangan pinch-off NAIK: UGS diperlukan untuk mengurangi ID menjadi arus kecil ketika UDS pasti;

Tegangan nyala UT : UGS diperlukan untuk membawa ID ke nilai tertentu ketika UDS tertentu.

2, Parameter AC

Transkonduktansi frekuensi rendah gm : Menjelaskan efek kontrol tegangan gerbang dan sumber pada arus pembuangan.

Kapasitansi antar kutub: kapasitansi antara tiga elektroda MOSFET, semakin kecil nilainya, semakin baik kinerjanya.

3、Batasi parameter

Tiriskan, tegangan kerusakan sumber: ketika arus saluran meningkat tajam, akan menghasilkan kerusakan longsoran ketika UDS.

Tegangan tembus gerbang: tabung efek medan persimpangan beroperasi normal, gerbang dan sumber antara persimpangan PN dalam keadaan bias terbalik, arus terlalu besar untuk menghasilkan kerusakan.

II. Karakteristik dariMOSFET

MOSFET memiliki fungsi amplifikasi dan dapat membentuk rangkaian yang diperkuat. Dibandingkan dengan triode, ia memiliki ciri-ciri sebagai berikut.

(1) MOSFET adalah perangkat yang dikontrol tegangan, dan potensialnya dikendalikan oleh UGS;

(2) Arus masukan MOSFET sangat kecil, sehingga resistansi masukannya sangat tinggi;

(3) Stabilitas suhunya baik karena menggunakan pembawa mayoritas untuk konduktivitas;

(4) Koefisien amplifikasi tegangan rangkaian amplifikasinya lebih kecil dibandingkan dengan trioda;

(5) Lebih tahan terhadap radiasi.

Ketiga,MOSFET dan perbandingan transistor

(1) Sumber MOSFET, gerbang, saluran pembuangan dan sumber triode, alas, tiang titik setel sesuai dengan peran yang serupa.

(2) MOSFET adalah perangkat arus yang dikontrol tegangan, koefisien amplifikasinya kecil, kemampuan amplifikasinya buruk; triode adalah perangkat tegangan yang dikontrol arus, kemampuan amplifikasinya kuat.

(3) Gerbang MOSFET pada dasarnya tidak menerima arus; dan triode bekerja, basis akan menyerap arus tertentu. Oleh karena itu, resistansi masukan gerbang MOSFET lebih tinggi daripada resistansi masukan triode.

(4) Proses konduktif MOSFET melibatkan politron, dan trioda melibatkan dua jenis pembawa, politron dan oligotron, dan konsentrasi oligotronnya sangat dipengaruhi oleh suhu, radiasi, dan faktor lainnya, oleh karena itu, MOSFET memiliki stabilitas suhu dan ketahanan radiasi yang lebih baik daripada transistor. MOSFET sebaiknya dipilih ketika kondisi lingkungan banyak berubah.

(5) Ketika MOSFET dihubungkan ke logam sumber dan substrat, sumber dan saluran dapat dipertukarkan dan karakteristiknya tidak banyak berubah, sedangkan ketika kolektor dan emitor transistor dipertukarkan, karakteristiknya berbeda dan nilai β berkurang.

(6) Angka kebisingan MOSFET kecil.

(7) MOSFET dan triode dapat terdiri dari berbagai rangkaian penguat dan rangkaian switching, namun yang pertama mengkonsumsi lebih sedikit daya, stabilitas termal yang tinggi, rentang tegangan suplai yang luas, sehingga banyak digunakan dalam skala besar dan ultra-besar. skala sirkuit terpadu.

(8) Resistansi triode besar, dan resistansi MOSFET kecil, sehingga MOSFET umumnya digunakan sebagai sakelar dengan efisiensi lebih tinggi.