Perbedaan Antara IGBT dan MOSFET

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah dua perangkat semikonduktor daya umum yang banyak digunakan dalam elektronika daya. Meskipun keduanya merupakan komponen penting dalam berbagai aplikasi, keduanya berbeda secara signifikan dalam beberapa aspek. Berikut adalah perbedaan utama antara IGBT dan MOSFET:

1. Prinsip Kerja

- IGBT: IGBT menggabungkan karakteristik BJT (Bipolar Junction Transistor) dan MOSFET, menjadikannya perangkat hibrid. Ia mengontrol basis BJT melalui tegangan gerbang MOSFET, yang pada gilirannya mengontrol konduksi dan pemutusan BJT. Meskipun proses konduksi dan cutoff IGBT relatif kompleks, IGBT memiliki fitur kehilangan tegangan konduksi yang rendah dan toleransi tegangan yang tinggi.

- MOSFET: MOSFET adalah transistor efek medan yang mengontrol arus dalam semikonduktor melalui tegangan gerbang. Ketika tegangan gerbang melebihi tegangan sumber, lapisan konduktif terbentuk, memungkinkan arus mengalir. Sebaliknya, ketika tegangan gerbang berada di bawah ambang batas, lapisan konduktif menghilang dan arus tidak dapat mengalir. Pengoperasian MOSFET relatif sederhana, dengan kecepatan peralihan yang cepat.

2. Area Aplikasi

- IGBT: Karena toleransi tegangannya yang tinggi, kehilangan tegangan konduksi yang rendah, dan kinerja peralihan yang cepat, IGBT sangat cocok untuk aplikasi berdaya tinggi dengan kerugian rendah seperti inverter, driver motor, mesin las, dan catu daya tak terputus (UPS) . Dalam aplikasi ini, IGBT secara efisien mengelola operasi peralihan tegangan tinggi dan arus tinggi.

- MOSFET: MOSFET, dengan respons cepat, resistansi input tinggi, kinerja peralihan stabil, dan biaya rendah, banyak digunakan dalam aplikasi peralihan cepat berdaya rendah seperti catu daya mode sakelar, penerangan, amplifier audio, dan sirkuit logika . MOSFET bekerja sangat baik dalam aplikasi berdaya rendah dan bertegangan rendah.