Perbedaan antara daya keluaran MOSFET dan daya keluaran bipolar triode kristal

Saat ini, dengan pesatnya perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi, semikonduktor semakin banyak digunakan di industri, di manaMOSFET juga dianggap sebagai perangkat semikonduktor yang sangat umum, langkah selanjutnya adalah memahami apa perbedaan antara karakteristik transistor kristal daya bipolar dan MOSFET daya keluaran.

1, cara kerja

MOSFET adalah pekerjaan yang diperlukan untuk meningkatkan tegangan operasi, diagram rangkaian menjelaskan relatif sederhana, meningkatkan kekuatan kecil; transistor kristal daya adalah aliran daya untuk mempromosikan desain program yang lebih kompleks, untuk mempromosikan spesifikasi pilihan yang sulit untuk mempromosikan spesifikasi akan membahayakan kecepatan peralihan total catu daya.

2, total kecepatan peralihan catu daya

MOSFET dipengaruhi oleh suhu kecil, daya keluaran peralihan catu daya dapat memastikan lebih dari 150KHz; transistor kristal daya memiliki batas waktu penyimpanan muatan bebas yang sangat sedikit, kecepatan peralihan catu dayanya, tetapi daya keluarannya umumnya tidak lebih dari 50KHz.

3. Area kerja yang aman

MOSFET daya tidak memiliki landasan sekunder, dan wilayah kerja yang aman luas; transistor kristal daya memiliki situasi basis sekunder, yang membatasi area kerja yang aman.

4、Persyaratan kerja konduktor listrik tegangan kerja

KekuatanMOSFET termasuk dalam tipe tegangan tinggi, persyaratan kerja konduksi tegangan kerja lebih tinggi, terdapat koefisien suhu positif; transistor kristal daya tidak peduli berapa banyak uang yang tahan terhadap tegangan kerja persyaratan kerja, tegangan kerja persyaratan kerja konduktor listrik lebih rendah, dan memiliki koefisien suhu negatif.

5, aliran daya maksimum

MOSFET daya dalam rangkaian catu daya switching rangkaian catu daya rangkaian catu daya sebagai saklar catu daya, dalam pengoperasian dan kerja stabil di tengah, aliran daya maksimum lebih rendah; dan transistor kristal daya dalam operasi dan kerja stabil di tengah, aliran daya maksimum lebih tinggi.

6、Biaya produk

Biaya daya MOSFET sedikit lebih tinggi; biaya triode kristal daya sedikit lebih rendah.

7、Efek penetrasi

Power MOSFET tidak memiliki efek penetrasi; transistor kristal daya memiliki efek penetrasi.

8、Beralih kerugian

Kerugian peralihan MOSFET tidak besar; kerugian peralihan transistor kristal daya relatif besar.

Selain itu, sebagian besar daya MOSFET terintegrasi dengan dioda penyerap guncangan, sedangkan transistor kristal daya bipolar hampir tidak memiliki dioda penyerap guncangan terintegrasi. Dioda penyerap guncangan MOSFET juga dapat menjadi magnet universal untuk mengganti kumparan magnet rangkaian catu daya untuk memberikan sudut faktor daya saluran pengaman aliran daya. Tabung efek medan di dioda penyerap goncangan dalam seluruh proses mematikan dengan dioda umum sebagai adanya aliran arus pemulihan terbalik, pada saat ini dioda di satu sisi mengambil saluran pembuangan - kutub sumber positif tengah yang besar kenaikan persyaratan kerja tegangan operasi, di sisi lain, dan aliran arus pemulihan terbalik.