WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

produk

WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:


  • Nomor Model:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • PENGENAL:5.8A
  • Saluran:Saluran N Ganda
  • Kemasan:SOT-23-6L
  • Produk Musim Panas:MOSFET WST8205 beroperasi pada 20 volt, menopang arus 5,8 amp, dan memiliki resistansi 24 miliohm. MOSFET terdiri dari Dual N-Channel dan dikemas dalam SOT-23-6L.
  • Aplikasi:Elektronik otomotif, lampu LED, audio, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen, papan pelindung.
  • Detail Produk

    Aplikasi

    Label Produk

    Deskripsi Umum

    WST8205 adalah MOSFET N-Ch parit berkinerja tinggi dengan kepadatan sel yang sangat tinggi, memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi peralihan daya dan peralihan beban kecil. WST8205 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan dengan persetujuan keandalan fungsional penuh.

    Fitur

    Teknologi canggih kami menggabungkan fitur-fitur inovatif yang membedakan perangkat ini dari perangkat lain di pasar. Dengan parit dengan kepadatan sel yang tinggi, teknologi ini memungkinkan integrasi komponen yang lebih besar, sehingga menghasilkan peningkatan kinerja dan efisiensi. Salah satu keuntungan penting dari perangkat ini adalah biaya gerbang yang sangat rendah. Hasilnya, dibutuhkan energi minimal untuk beralih antara kondisi hidup dan mati, sehingga mengurangi konsumsi daya dan meningkatkan efisiensi secara keseluruhan. Karakteristik muatan gerbang rendah ini menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi yang memerlukan peralihan kecepatan tinggi dan kontrol presisi. Selain itu, perangkat kami unggul dalam mengurangi efek Cdv/dt. Cdv/dt, atau laju perubahan tegangan dari saluran ke sumber dari waktu ke waktu, dapat menyebabkan efek yang tidak diinginkan seperti lonjakan tegangan dan interferensi elektromagnetik. Dengan meminimalkan dampak ini secara efektif, perangkat kami memastikan pengoperasian yang andal dan stabil, bahkan di lingkungan yang menuntut dan dinamis. Selain kecanggihan teknisnya, perangkat ini juga ramah lingkungan. Ini dirancang dengan mempertimbangkan keberlanjutan, dengan mempertimbangkan faktor-faktor seperti efisiensi daya dan umur panjang. Dengan beroperasi dengan efisiensi energi maksimal, perangkat ini meminimalkan jejak karbon dan berkontribusi terhadap masa depan yang lebih hijau. Singkatnya, perangkat kami menggabungkan teknologi canggih dengan parit kepadatan sel yang tinggi, biaya gerbang yang sangat rendah, dan pengurangan efek Cdv/dt yang sangat baik. Dengan desainnya yang ramah lingkungan, produk ini tidak hanya memberikan kinerja dan efisiensi yang unggul namun juga sejalan dengan meningkatnya kebutuhan akan solusi berkelanjutan di dunia saat ini.

    Aplikasi

    Peralihan daya kecil sinkron titik beban frekuensi tinggi untuk jaringan MB/NB/UMPC/VGA sistem daya DC-DC, elektronik otomotif, lampu LED, audio, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen, papan pelindung.

    nomor bahan yang sesuai

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Parameter penting

    Simbol Parameter Peringkat Satuan
    VDS Tegangan Sumber Pembuangan 20 V
    VGS Tegangan Sumber Gerbang ±12 V
    ID@Tc=25℃ Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Arus Pembuangan Berdenyut2 16 A
    PD@TA=25℃ Disipasi Daya Total3 2.1 W
    TSTG Kisaran Suhu Penyimpanan -55 hingga 150
    TJ Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian -55 hingga 150
    Simbol Parameter Kondisi Minimal. Ketik. Maks. Satuan
    BVDSS Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Koefisien Suhu BVDSS Referensi ke 25℃ , ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(AKTIF) Sumber Drain Statis Pada Resistansi2 VGS=4.5V, ID=5.5A --- 24 28
           
        VGS=2.5V, ID=3.5A --- 30 45  
    VGS(th) Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(th) Koefisien Suhu VGS(th).   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    pacar Transkonduktansi Maju VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Resistensi Gerbang VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Total Biaya Gerbang (4.5V) VDS=10V , VGS=4.5V , ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Pertanyaan Biaya Gerbang-Sumber --- 1.4 2.0
    Qgd Biaya Pembuangan Gerbang --- 2.2 3.2
    Td (aktif) Waktu Tunda Pengaktifan VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Waktu Bangkit --- 34 63
    Td (mati) Waktu Tunda Matikan --- 22 46
    Tf Waktu Musim Gugur --- 9.0 18.4
    Cis Kapasitansi Masukan VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz --- 625 889 pF
    Cos Kapasitansi Keluaran --- 69 98
    Krs Kapasitansi Transfer Terbalik --- 61 88

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami