WST2078 Saluran N&P 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

PENGENAL:3,8A/-4,5A

Saluran:Saluran N&P

Kemasan:SOT-23-6L

Produk Musim Panas:MOSFET WST2078 memiliki peringkat tegangan 20V dan -20V.Ia dapat menangani arus 3,8A dan -4,5A, dan memiliki nilai resistansi 45mΩ dan 65mΩ.MOSFET memiliki kemampuan N&P Channel dan hadir dalam paket SOT-23-6L.

Aplikasi:Rokok elektrik, pengontrol, produk digital, peralatan, dan elektronik konsumen.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WST2078 adalah MOSFET terbaik untuk sakelar daya kecil dan aplikasi beban.Ia memiliki kepadatan sel tinggi yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik.Ini memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan dan telah disetujui untuk keandalan fungsi penuh.

Fitur

Teknologi canggih dengan parit kepadatan sel tinggi, muatan gerbang sangat rendah, dan pengurangan efek Cdv/dt yang sangat baik.Perangkat ini juga ramah lingkungan.

Aplikasi

Peralihan daya kecil sinkron titik beban frekuensi tinggi sangat cocok untuk digunakan dalam MB/NB/UMPC/VGA, sistem daya jaringan DC-DC, sakelar beban, rokok elektronik, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, dan konsumen elektronik.

nomor bahan yang sesuai

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat		Satuan
Simbol	Parameter	N-Saluran	Saluran-P	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	20	-20	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Disipasi Daya Total3	1.4	1.4	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 150	-55 hingga 150	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃ , ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=4.5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V, ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=16V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=16V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
pacar	Transkonduktansi Maju	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Resistensi Gerbang	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Total Biaya Gerbang (4.5V)	VDS=10V , VGS=10V , ID=3A	---	7.8	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	1.5	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	2.1	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	13	23
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	15	28
Tf	Waktu Musim Gugur		---	3	5.5
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz	---	450	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	51	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	52	---