WST2011 Saluran P Ganda -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Gambaran umum
MOSFET WST2011 adalah transistor P-ch tercanggih yang tersedia, menampilkan kepadatan sel yang tak tertandingi.Mereka menawarkan kinerja luar biasa, dengan RDSON dan muatan gerbang yang rendah, menjadikannya ideal untuk aplikasi peralihan daya dan sakelar beban kecil.Selain itu, WST2011 memenuhi standar RoHS dan Produk Ramah Lingkungan serta memiliki persetujuan keandalan fungsi penuh.
Fitur
Teknologi Trench yang canggih memungkinkan kepadatan sel yang lebih tinggi, menghasilkan Perangkat Ramah Lingkungan dengan Pengisian Daya Gerbang Super Rendah dan penurunan efek CdV/dt yang sangat baik.
Aplikasi
Peralihan daya kecil sinkron titik beban frekuensi tinggi cocok untuk digunakan dalam MB/NB/UMPC/VGA, sistem daya jaringan DC-DC, sakelar beban, rokok elektronik, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, dan elektronik konsumen .
nomor bahan yang sesuai
PADA FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Parameter penting
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan | |
| 10 detik | Stabil | |||
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | -20 | V | |
| VGS | Tegangan Sumber Gerbang | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Arus Pengurasan Kontinyu, VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Arus Pengurasan Kontinyu, VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Arus Pembuangan Berdenyut2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Disipasi Daya Total3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Disipasi Daya Total3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ | |
| TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian | -55 hingga 150 | ℃ | |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Koefisien Suhu BVDSS | Referensi ke 25℃ , ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIF) | Sumber Drain Statis Pada Resistansi2 | VGS=-4.5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2.5V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,5 | -1.0 | -1.5 | V |
| △VGS(th) | Koefisien Suhu VGS(th). | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=-16V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±12V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| pacar | Transkonduktansi Maju | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Total Biaya Gerbang (-4.5V) | VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Pertanyaan | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=-15V , VGS=-4.5V , RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Waktu Bangkit | --- | 9.3 | --- | ||
| Td (mati) | Waktu Tunda Matikan | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Waktu Musim Gugur | --- | 3.6 | --- | ||
| Cis | Kapasitansi Masukan | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Cos | Kapasitansi Keluaran | --- | 95 | --- | ||
| Krs | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 68 | --- |
