WSR200N08 N-saluran 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

WSR200N08 N-channel 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9mΩ

PENGENAL:200A

Saluran:saluran-n

Kemasan:TO-220-3L

Produk Musim Panas:MOSFET WSR200N08 dapat menangani hingga 80 volt dan 200 amp dengan resistansi 2,9 miliohm.Ini adalah perangkat saluran-N dan hadir dalam paket TO-220-3L.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengisi daya nirkabel, motor, sistem manajemen baterai, sumber daya cadangan, kendaraan udara tak berawak, perangkat kesehatan, peralatan pengisian kendaraan listrik, unit kontrol, mesin cetak 3D, perangkat elektronik, peralatan rumah tangga kecil, dan barang elektronik konsumen.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSR200N08 adalah MOSFET N-Ch parit kinerja tertinggi dengan kepadatan sel sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSR200N08 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan, 100% EAS dijamin dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

Fitur

Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

Aplikasi

Aplikasi peralihan, Manajemen Daya untuk Sistem Inverter, Rokok elektronik, pengisian daya nirkabel, motor, BMS, catu daya darurat, drone, medis, pengisian daya mobil, pengontrol, printer 3D, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen, dll.

nomor bahan yang sesuai

AO AOT480L, PADA FDP032N08B,ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, dll.

Parameter penting

Karakteristik Listrik (TJ=25℃, kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	80	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±25	V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2,TC=25°C	790	A
EA	Energi Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH	1496	mJ
SAYA SEBAGAI	Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total4	345	W
PD@TC=100℃	Disipasi Daya Total4	173	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 175	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	175	℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS = 10V, ID = 100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistensi Gerbang	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Total Biaya Gerbang (10V)	VDS=80V , VGS=10V , ID=30A	---	197	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	31	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	75	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	18	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	42	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	54	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	8154	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	1029	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	650	---