WSR140N12 N-saluran 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

WSR140N12 N-channel 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET Gambar Unggulan

deskripsi singkat:

Nomor Model:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

PENGENAL:140A

Saluran:saluran-n

Kemasan:TO-220-3L

Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSR140N12 adalah 120V, arus 140A, resistansi 5mΩ, saluran N-channel, dan paket TO-220-3L.

Aplikasi:Catu daya, medis, peralatan utama, BMS, dll.

Kirim email ke kami PDF

Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Deskripsi Umum

WSR140N12 adalah MOSFET N-ch parit kinerja tertinggi dengan kepadatan sel yang sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron. WSR140N12 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan, 100% EAS dijamin dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

Fitur

Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Daya Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

Aplikasi

Konverter Buck Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi, Jaringan Sistem Tenaga DC-DC, Catu Daya, Medis, Peralatan Utama, BMS, dll.

nomor bahan yang sesuai

ST STP40NF12 dll.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	120	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	V
ID	Arus Pembuangan Berkelanjutan, VGS @ 10V(TC=25℃)	140	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut	330	A
EA	Energi Longsor Pulsa Tunggal	400	mJ
PD	Total Pembuangan Daya... C=25℃)	192	W
RθJA	Resistensi termal, persimpangan-ambien	62	℃/W
RθJC	Ketahanan termal, kotak sambungan	0,65	℃/W
TSTG	Kisaran Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	120	---	---	V
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=10V, ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=120V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Total Biaya Gerbang	VDS=50V , VGS=10V , ID=15A	---	68.9	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	18.1	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	15.9	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=50V , VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	33.0	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	59.5	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	11.7	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz	---	5823	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	778.3	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	17.5	---