WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

PENGENAL:-11A

Saluran:Saluran-P

Kemasan:SOP-8

Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSP4447 adalah -40V, arus -11A, resistansi 13mΩ, saluran P-Channel, dan paket SOP-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengisi daya nirkabel, motor, drone, perangkat medis, pengisi daya otomatis, pengontrol, produk digital, peralatan kecil, dan elektronik konsumen.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSP4447 adalah MOSFET berkinerja terbaik yang memanfaatkan teknologi parit dan memiliki kepadatan sel yang tinggi.Ia menawarkan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik, sehingga cocok untuk digunakan di sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSP4447 memenuhi standar RoHS dan Produk Ramah Lingkungan, dan dilengkapi dengan jaminan EAS 100% untuk keandalan penuh.

Fitur

Teknologi Trench yang canggih memungkinkan kepadatan sel yang lebih tinggi, menghasilkan Perangkat Ramah Lingkungan dengan Pengisian Daya Gerbang Super Rendah dan penurunan efek CdV/dt yang sangat baik.

Aplikasi

Konverter Frekuensi Tinggi untuk Berbagai Elektronik
Konverter ini dirancang untuk memberi daya secara efisien pada berbagai perangkat, termasuk laptop, konsol game, peralatan jaringan, rokok elektrik, pengisi daya nirkabel, motor, drone, perangkat medis, pengisi daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, dan konsumen. elektronik.

nomor bahan yang sesuai

AOS AO4425 AO4485, PADA FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK,RUICHIPS RU40L10H.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	-40	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	V
ID@TA=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-9.0	A
IDM a	Arus Pembuangan Berdenyut 300µs (VGS=-10V)	-44	A
EA b	Energi Longsor, Pulsa tunggal (L=0,1mH)	54	mJ
IAS b	Arus Longsor, Pulsa Tunggal (L=0,1mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Disipasi Daya Total4	2.0	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃ , ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2					mΩ
		VGS=-4.5V, ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=-32V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran					uA
		VDS=-32V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
pacar	Transkonduktansi Maju	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Total Biaya Gerbang (-4.5V)	VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A	---	32	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	5.2	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	8	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	12	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	41	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	22	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	1500	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	235	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	180	---