WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

produk

WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:


  • Nomor Model:WSM340N10G
  • BVDSS:100V
  • RDSON:1,6mΩ
  • PENGENAL:340A
  • Saluran:saluran-n
  • Kemasan:TOL-8L
  • Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSM340N10G adalah 100V, arus 340A, resistansi 1,6mΩ, saluran N-channel, dan paket TOLL-8L.
  • Aplikasi:Peralatan medis, drone, catu daya PD, catu daya LED, peralatan industri, dll.
  • Detail Produk

    Aplikasi

    Label Produk

    Deskripsi Umum

    WSM340N10G adalah MOSFET N-Ch parit kinerja tertinggi dengan kepadatan sel sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron. WSM340N10G memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan, dijamin 100% EAS dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

    Fitur

    Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

    Aplikasi

    Perbaikan sinkron, Konverter DC/DC, Sakelar beban, Peralatan medis, drone, catu daya PD, catu daya LED, peralatan industri, dll.

    Parameter penting

    Peringkat Maksimum Mutlak

    Simbol Parameter Peringkat Satuan
    VDS Tegangan Sumber Pembuangan 100 V
    VGS Tegangan Sumber Gerbang ±20 V
    ID@TC=25℃ Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V 340 A
    ID@TC=100℃ Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V 230 A
    IDM Arus Pembuangan Berdenyut..TC=25°C 1150 A
    EA Energi Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH 1800 mJ
    IAS Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH 120 A
    PD@TC=25℃ Disipasi Daya Total 375 W
    PD@TC=100℃ Disipasi Daya Total 187 W
    TSTG Kisaran Suhu Penyimpanan -55 hingga 175
    TJ Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian 175

    Karakteristik Listrik (TJ=25℃, kecuali dinyatakan lain)

    Simbol Parameter Kondisi Minimal. Ketik. Maks. Satuan
    BVDSS Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Koefisien Suhu BVDSS Referensi ke 25℃, ID=1mA --- 0,096 --- V/℃
    RDS(AKTIF) Resistansi Sumber Drain Statis VGS = 10V, ID = 50A --- 1.6 2.3
    VGS(th) Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, ID=250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) Koefisien Suhu VGS(th). --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Resistensi Gerbang VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Total Biaya Gerbang (10V) VDS=50V , VGS=10V , ID=50A --- 260 --- nC
    Pertanyaan Biaya Gerbang-Sumber --- 80 ---
    Qgd Biaya Pembuangan Gerbang --- 60 ---
    Td (aktif) Waktu Tunda Pengaktifan VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. --- 88 --- ns
    Tr Waktu Bangkit --- 50 ---
    Td (mati) Waktu Tunda Matikan --- 228 ---
    Tf Waktu Musim Gugur --- 322 ---
    Cis Kapasitansi Masukan VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz --- 13900 --- pF
    Cos Kapasitansi Keluaran --- 6160 ---
    Krs Kapasitansi Transfer Terbalik --- 220 ---

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami