WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6mΩ

PENGENAL:340A

Saluran:saluran-n

Kemasan:TOL-8L

Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSM340N10G adalah 100V, arus 340A, resistansi 1,6mΩ, saluran N-channel, dan paket TOLL-8L.

Aplikasi:Peralatan medis, drone, catu daya PD, catu daya LED, peralatan industri, dll.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSM340N10G adalah MOSFET N-Ch parit kinerja tertinggi dengan kepadatan sel sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSM340N10G memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan, dijamin 100% EAS dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

Fitur

Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

Aplikasi

Perbaikan sinkron, Konverter DC/DC, Sakelar beban, Peralatan medis, drone, catu daya PD, catu daya LED, peralatan industri, dll.

Parameter penting

Peringkat Maksimum Mutlak

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	100	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V	230	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut..TC=25°C	1150	A
EA	Energi Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH	1800	mJ
SAYA SEBAGAI	Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total	375	W
PD@TC=100℃	Disipasi Daya Total	187	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 175	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	175	℃

Karakteristik Listrik (TJ=25℃, kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Resistansi Sumber Drain Statis	VGS = 10V, ID = 50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=85V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=85V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistensi Gerbang	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Total Biaya Gerbang (10V)	VDS=50V , VGS=10V , ID=50A	---	260	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	80	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	60	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	50	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	228	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	322	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz	---	13900	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	6160	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	220	---