WSM320N04G N-channel 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2mΩ

PENGENAL:320A

Saluran:saluran-n

Kemasan:TOL-8L

Produk Musim Panas:MOSFET WSM320N04G memiliki tegangan 40V, arus 320A, resistansi 1,2mΩ, saluran-N, dan paket TOLL-8L.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengisian daya nirkabel, drone, medis, pengisian daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSM320N04G adalah MOSFET berperforma tinggi yang menggunakan desain parit dan memiliki kepadatan sel yang sangat tinggi.Ini memiliki RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik dan cocok untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSM320N04G memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan serta dijamin memiliki EAS 100% dan keandalan fungsi penuh.

Fitur

Teknologi Trench dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, sekaligus menampilkan muatan gerbang rendah untuk kinerja optimal.Selain itu, ia menawarkan penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Jaminan EAS 100%, dan opsi ramah lingkungan.

Aplikasi

Konverter Buck Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi, Jaringan Sistem Tenaga DC-DC, Aplikasi Perkakas Listrik, Rokok elektronik, pengisian daya nirkabel, drone, medis, pengisian daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, dan elektronik konsumen.

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	40	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2	900	A
EA	Energi Longsor Pulsa Tunggal3	980	mJ
SAYA SEBAGAI	Arus Longsor	70	A
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total4	250	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 175	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 175	℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=4.5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
pacar	Transkonduktansi Maju	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Resistensi Gerbang	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Total Biaya Gerbang (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	43	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	83	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	115	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	95	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	80	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	1200	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	800	---