WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 Gambar Unggulan WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6,8mΩ

PENGENAL:-70A

Saluran:Saluran-P

Kemasan:KE-252

Produk Musim Panas:MOSFET WSF70P02 memiliki tegangan -20V, arus -70A, resistansi 6,8mΩ, kemasan P-Channel, dan TO-252.

Aplikasi:Rokok elektrik, pengisi daya nirkabel, motor, cadangan daya, drone, layanan kesehatan, pengisi daya mobil, pengontrol, elektronik, peralatan, dan barang konsumsi.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

MOSFET WSF70P02 adalah perangkat parit saluran P berkinerja terbaik dengan kepadatan sel tinggi.Ia menawarkan RDSON dan biaya gerbang yang luar biasa untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.Perangkat ini memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan, dijamin 100% EAS, dan telah disetujui untuk keandalan fungsi penuh.

Fitur

Teknologi Parit Canggih dengan kepadatan sel tinggi, muatan gerbang super rendah, pengurangan efek CdV/dt yang sangat baik, jaminan EAS 100%, dan opsi untuk perangkat ramah lingkungan.

Aplikasi

Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi, Konverter Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Tenaga DC-DC Jaringan, Sakelar Beban, Rokok Elektrik, Pengisian Daya Nirkabel, Motor, Pasokan Listrik Darurat, Drone, Perawatan Medis, Pengisi Daya Mobil , pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen.

nomor bahan yang sesuai

AOS

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat		Satuan
		10 detik	Stabil
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	-20		V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±12		V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2	-200		A
EA	Energi Longsor Pulsa Tunggal3	360		mJ
SAYA SEBAGAI	Arus Longsor	-55.4		A
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total4	80		W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 150		℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150		℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃ , ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=-4.5V, ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±12V , VDS=0V	---	---	±100	nA
pacar	Transkonduktansi Maju	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Total Biaya Gerbang (-4.5V)	VDS=-15V , VGS=-4.5V , ID=-10A	---	63	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	9.1	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	13	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=-10V , VGS=-4.5V , RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	77	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	195	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	186	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	5783	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	520	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	445	---