WSD80120DN56 N-saluran 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD80120DN56 N-saluran 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor Bagian:WSD80120DN56

BVDSS:85V

PENGENAL:120A

RDSON:3,7mΩ

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8


Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD80120DN56 adalah 85V, arus 120A, resistansi 3,7mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET tegangan medis, MOSFET peralatan fotografi, MOSFET drone, MOSFET kontrol industri, MOSFET 5G, MOSFET elektronik otomotif.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMikroelektronik MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

85

V

VGS

Gerbang-Source Tegangan

±25

V

ID@TC=25

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V

120

A

ID@TC=100

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V

96

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyut..TC=25°C

384

A

EA

Energi Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH

320

mJ

SAYA SEBAGAI

Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH

180

A

PD@TC=25

Disipasi Daya Total

104

W

PD@TC=100

Disipasi Daya Total

53

W

TSTG

kisaran suhu penyimpanan

-55 hingga 175

TJ

Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian

175

 

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=250uA 85

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi ke 25, SAYAD=1mA

---

0,096

---

V/

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis VGS=10V,SayaD=50A

---

3.7

4.8

mΩ

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-5.5

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=85V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=85V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±25V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Rg

Resistensi Gerbang VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.2

---

Ω

Qg

Total Biaya Gerbang (10V) VDS=50V, VGS=10V , SAYAD=10A

---

54

---

nC

Qgs

Biaya Gerbang-Sumber

---

17

---

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang

---

11

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=50V, VGS=10V,

RG=1Ω,RL=1Ω,ID=10A.

---

21

---

ns

Tr

Waktu Bangkit

---

18

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

36

---

Tf

Waktu Musim Gugur

---

10

---

Ciss

Kapasitansi Masukan VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz

---

3750

---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

395

---

Crss

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

180

---


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami