WSD80100DN56 N-saluran 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD80100DN56 N-saluran 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:

Nomor Bagian:WSD80100DN56

BVDSS:80V

PENGENAL:100A

RDSON:6.1mΩ

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8


Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD80100DN56 adalah 80V, arus 100A, resistansi 6,1mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET drone, MOSFET motor, MOSFET elektronik otomotif, MOSFET peralatan utama.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMikroelektronik MOSFET STL1N8F7.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC7966X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

80

V

VGS

Gerbang-Source Tegangan

±20

V

TJ

Suhu Persimpangan Maksimum

150

°C

ID

Kisaran Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

°C

ID

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS=10V,TC=100°C

80

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyut, TC=25°C

380

A

PD

Disipasi Daya Maksimum, TC=25°C

200

W

RqJC

Resistensi Termal-Persimpangan ke Kasus

0,8

°C

EAS

Energi Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH

800

mJ

 

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi ke 25, SAYAD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS = 10V , SAYAD=40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=48V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

pacar

Transkonduktansi Maju VDS=5V, SAYAD=20A

80

---

---

S

Qg

Total Biaya Gerbang (10V) VDS=30V, VGS=10V , SAYAD=30A

---

125

---

nC

Qgs

Biaya Gerbang-Sumber

---

24

---

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang

---

30

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=30V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, SAYAD=2A ,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Waktu Bangkit

---

19

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

70

---

Tf

Waktu Musim Gugur

---

30

---

Ciss

Kapasitansi Masukan VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz

---

4900

---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

410

---

Crss

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

315

---


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami