WSD75N12GDN56 N-saluran 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD75N12GDN56 adalah 120V, arus 75A, resistansi 6mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET peralatan medis, MOSFET drone, MOSFET catu daya PD, MOSFET catu daya LED, MOSFET peralatan industri.
Bidang aplikasi MOSFETWINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
| VDSS | Tegangan Pembuangan ke Sumber | 120 | V |
| VGS | Tegangan Gerbang-ke-Sumber | ±20 | V |
| ID | 1 Arus Pembuangan Berkelanjutan (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Arus Pembuangan Berkelanjutan (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Arus Pembuangan Berdenyut | 320 | A |
| IAR | Arus longsor pulsa tunggal | 40 | A |
| ESa | Energi longsoran pulsa tunggal | 240 | mJ |
| PD | Pembuangan Daya | 125 | W |
| TJ,Tstg | Persimpangan Pengoperasian dan Kisaran Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TL | Suhu Maksimum untuk Penyolderan | 260 | ℃ |
| RθJC | Ketahanan Termal, Persimpangan ke Kasus | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Ketahanan Termal, Persimpangan-ke-Ambien | 50 | ℃/W |
| Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| VDSS | Tiriskan ke Sumber Tegangan Rusak | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Tiriskan ke Sumber Arus Kebocoran | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | μA |
| IGSS(P) | Gerbang Menuju Sumber Kebocoran | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(kanan) | Gerbang ke Sumber Membalikkan Kebocoran | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Tegangan Ambang Gerbang | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(AKTIF)1 | Resistansi Saluran-ke-Sumber | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transkonduktansi Maju | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Cis | Kapasitansi Masukan | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Cos | Kapasitansi Keluaran | -- | 429 | -- | pF | |
| Krs | Kapasitansi Transfer Terbalik | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistensi gerbang | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(AKTIF) | Waktu Tunda Pengaktifan | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Waktu Bangkit | -- | 11 | -- | ns | |
| td (MATI) | Waktu Tunda Matikan | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Waktu Musim Gugur | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Total Biaya Gerbang | VGS =0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Pertanyaan | Biaya Sumber Gerbang | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Arus Maju Dioda | TC =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ALIRAN | Arus Pulsa Dioda | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Tegangan Maju Dioda | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| tr | Membalikkan waktu Pemulihan | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Membalikkan Biaya Pemulihan | -- | 250 | -- | nC |
