WSD60N10GDN56 N-saluran 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD60N10GDN56 adalah 100V, arus 60A, resistansi 8,5mΩ, saluran N-channel, dan paketnya adalah DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.
Bidang aplikasi MOSFETWINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3AN L,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC92X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 100 | V |
| VGS | Tegangan Sumber Gerbang | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Arus Pembuangan Terus Menerus | 60 | A |
| pengungsi | Arus Pembuangan Berdenyut | 210 | A |
| EA | Energi Longsor, Pulsa tunggal | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Disipasi Daya Total | 125 | W |
| TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian | -55 hingga 150 | ℃ |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Resistansi Sumber Drain Statis | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10.0 | mΩ | |
| RDS(AKTIF) | VGS = 4.5V, ID = 10A. | --- | 9.5 | 12.0 | mΩ | |
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, SAYAD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Total Biaya Gerbang (10V) | VDS=50V, VGS=10V , SAYAD=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 12.4 | --- | ||
| Td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=50V, VGS=10V,RG=2.2Ω, sayaD=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Waktu Bangkit | --- | 5 | --- | ||
| Td (mati) | Waktu Tunda Matikan | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Waktu Musim Gugur | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Kapasitansi Masukan | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Cos | Kapasitansi Keluaran | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Sumber Arus Kontinyu | VG=VD=0V, Arus Paksa | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Arus Sumber Berdenyut | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Tegangan Maju Dioda | VGS=0V, sayaS=12A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Membalikkan Waktu Pemulihan | JIKA=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Membalikkan Biaya Pemulihan | --- | 106.1 | --- | nC |
