WSD6070DN56 N-saluran 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD6070DN56 adalah 60V, arus 80A, resistansi 7,3mΩ, saluran N-channel, dan paketnya adalah DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.
WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 60 | V |
| VGS | Gerbang-Source Tegangan | ±20 | V |
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | °C |
| ID | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | °C |
| IS | Arus Maju Kontinu Dioda, TC=25°C | 80 | A |
| ID | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS=10V,TC=25°C | 80 | A |
| Arus Pembuangan Kontinyu, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Arus Pembuangan Berdenyut, TC=25°C | 300 | A |
| PD | Disipasi Daya Maksimum, TC=25°C | 150 | W |
| Disipasi Daya Maksimum, TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Resistansi Termal-Persimpangan ke Ambien ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Resistansi Termal-Persimpangan ke Ambien, Kondisi Mantap | 62.5 | °C/W | |
| RqJC | Resistensi Termal-Persimpangan ke Kasus | 1 | °C/W |
| SAYA SEBAGAI | Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Energi Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaD=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSKoefisien Suhu | Referensi ke 25℃, SAYAD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIF) | Resistansi Sumber Drain Statis2 | VGS = 10V , SAYAD=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, SAYAD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Koefisien Suhu | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| pacar | Transkonduktansi Maju | VDS=5V, SAYAD=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistensi Gerbang | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Total Biaya Gerbang (10V) | VDS=30V, VGS=10V , SAYAD=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 12 | --- | ||
| Td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=30V, VJENDERAL=10V, RG=1Ω, SAYAD=1A ,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Waktu Bangkit | --- | 10 | --- | ||
| Td (mati) | Waktu Tunda Matikan | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Waktu Musim Gugur | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Kapasitansi Masukan | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Cos | Kapasitansi Keluaran | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 160 | --- |
