WSD6060DN56 N-saluran 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD6060DN56 adalah 60V, arus 65A, resistansi 7,5mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.
WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan | |
| Peringkat Umum | ||||
| VDSS | Tegangan Sumber Pembuangan | 60 | V | |
| VGSS | Tegangan Sumber Gerbang | ±20 | V | |
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | °C | |
| TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | °C | |
| IS | Arus Maju Kontinu Dioda | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Arus Pembuangan Terus Menerus | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| saya DM b | Arus Pembuangan Pulsa Diuji | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Disipasi Daya Maksimum | Tc=25°C | 62.5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Persimpangan Resistensi Termal ke Timbal | Stabil | 2.1 | °C/W |
| RqJA | Resistensi Termal-Persimpangan ke Ambien | t £ 10 detik | 45 | °C/W |
| Stabilb | 50 | |||
| SAYA SEBAGAI d | Arus Longsor, Pulsa Tunggal | L = 0,5mH | 18 | A |
| EAS d | Energi Longsor, Pulsa tunggal | L = 0,5mH | 81 | mJ |
| Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan | |
| Karakteristik Statis | |||||||
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Arus Pembuangan Tegangan Gerbang Nol | VDS=48V,VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VDS=VGS, SAYADS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Arus Kebocoran Gerbang | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(AKTIF) 3 | Resistensi Sumber Drain pada Negara | VGS=10V, SAYADS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4.5V, SAYADS=15 SEBUAH | - | 10 | 15 | ||||
| Karakteristik Dioda | |||||||
| DI SD | Tegangan Maju Dioda | ISD=1A,VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Membalikkan Waktu Pemulihan | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Membalikkan Biaya Pemulihan | - | 36 | - | nC | ||
| Karakteristik Dinamis3,4 | |||||||
| RG | Resistensi Gerbang | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | Kapasitansi Masukan | VGS=0V, VDS=30V, F = 1,0MHz ohm | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | Kapasitansi Keluaran | - | 270 | - | |||
| Crss | Kapasitansi Transfer Terbalik | - | 40 | - | |||
| td(AKTIF) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Nyalakan Waktu Naik | - | 6 | - | |||
| td (MATI) | Waktu Tunda Matikan | - | 33 | - | |||
| tf | Matikan Waktu Musim Gugur | - | 30 | - | |||
| Karakteristik Muatan Gerbang 3,4 | |||||||
| Qg | Total Biaya Gerbang | VDS=30V, VGS=4.5V, SAYADS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Total Biaya Gerbang | VDS=30V,VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qgth | Biaya Gerbang Ambang Batas | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | - | 5 | - | |||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | - | 4.2 | - | |||
