WSD6060DN56 N-saluran 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET Gambar Unggulan

deskripsi singkat:

Nomor Bagian：WSD6060DN56

BVDSS：60V

PENGENAL:65A

RDSON：7,5mΩ

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8

Kirim email ke kami PDF

Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD6060DN56 adalah 60V, arus 65A, resistansi 7,5mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.

Parameter MOSFET

Simbol	Parameter		Peringkat	Satuan
Peringkat Umum
VDSS	Tegangan Sumber Pembuangan		60	V
VGSS	Tegangan Sumber Gerbang		±20	V
T_J	Suhu Persimpangan Maksimum		150	°C
TSTG	Kisaran Suhu Penyimpanan		-55 hingga 150	°C
I_S	Arus Maju Kontinu Dioda	T_c=25°C	30	A
ID	Arus Pembuangan Terus Menerus	T_c=25°C	65	A
ID	Arus Pembuangan Terus Menerus	T_c=70°C	42	A
saya DM b	Arus Pembuangan Pulsa Diuji	T_c=25°C	250	A
P_D	Disipasi Daya Maksimum	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Disipasi Daya Maksimum	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Persimpangan Resistensi Termal ke Timbal	Keadaan Stabil	2.1	°C/W
RqJA	Resistensi Termal-Persimpangan ke Ambien	t £ 10 detik	45	°C/W
RqJA	Resistensi Termal-Persimpangan ke Ambien	Keadaan Stabil^b	50	°C/W
saya SEBAGAI^d	Arus Longsor, Pulsa Tunggal	L = 0,5mH	18	A
EAS d	Energi Longsor, Pulsa tunggal	L = 0,5mH	81	mJ

Simbol	Parameter	Kondisi Tes		Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
Karakteristik Statis
BV_DSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	V_GS=0V, saya_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Arus Pembuangan Tegangan Gerbang Nol	V_DS=48V,V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Arus Pembuangan Tegangan Gerbang Nol						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	V_DS=V_GS, SAYA_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Arus Kebocoran Gerbang	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(AKTIF) 3	Resistensi Sumber Drain pada Negara	V_GS=10V, SAYA_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(AKTIF) 3	Resistensi Sumber Drain pada Negara	V_GS=4.5V, SAYA_DS=15 SEBUAH		-	10	15	m W
Karakteristik Dioda
DI SD	Tegangan Maju Dioda	I_SD=1A,V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Membalikkan Waktu Pemulihan	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Membalikkan Biaya Pemulihan	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Karakteristik Dinamis^3,4
R_G	Resistensi Gerbang	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Kapasitansi Masukan	V_GS=0V, V_DS=30V, F = 1,0MHz ohm		-	1340	-	pF
C_oss	Kapasitansi Keluaran			-	270	-
C_rss	Kapasitansi Transfer Terbalik			-	40	-
td(AKTIF)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Nyalakan Waktu Naik			-	6	-
td (MATI)	Waktu Tunda Matikan			-	33	-
t_f	Matikan Waktu Musim Gugur			-	30	-
Karakteristik Muatan Gerbang ^3,4
Q_g	Total Biaya Gerbang	V_DS=30V, V_GS=4.5V, SAYA_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Total Biaya Gerbang	V_DS=30V,V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gt	Biaya Gerbang Ambang Batas			-	4.1	-
Q_gs	Biaya Gerbang-Sumber			-	5	-
Q_gd	Biaya Pembuangan Gerbang			-	4.2	-