WSD6040DN56 N-saluran 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD6040DN56 N-saluran 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor Bagian:WSD6040DN56

BVDSS:60V

PENGENAL:36A

RDSON:14mΩ 

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8


Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD6040DN56 adalah 60V, arus 36A, resistansi 14mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC6964X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

60

V

VGS

Tegangan Sumber Gerbang

±20

V

ID

Arus Pembuangan Terus Menerus TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Arus Pembuangan Terus Menerus TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Arus Pembuangan Berdenyut TC=25°C

140

A

PD

Disipasi Daya Maksimum TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Disipasi Daya Maksimum TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Arus Longsor, Pulsa Tunggal

L = 0,5mH

16

A

EAc

Energi Longsor Pulsa Tunggal

L = 0,5mH

64

mJ

IS

Arus Maju Kontinu Dioda

TC=25°C

18

A

TJ

Suhu Persimpangan Maksimum

150

TSTG

kisaran suhu penyimpanan

-55 hingga 150

RθJAb

Persimpangan Ketahanan Termal ke lingkungan

Stabil

60

/W

RθJC

Resistensi Termal-Persimpangan ke Kasus

Stabil

3.3

/W

 

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

Statis        

V(BR)DSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Arus Pembuangan Tegangan Gerbang Nol

VDS = 48V, VGS = 0V

   

1

μA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Arus Kebocoran Gerbang

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Tentang Karakteristik        

VGS(TH)

Tegangan Ambang Gerbang

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS (aktif)d

Resistensi Sumber Drain pada Negara

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V, ID = 20A

  19

22

Beralih        

Qg

Total Biaya Gerbang

VDS = 30V

VGS = 10V

ID = 25A

  42  

nC

Pertanyaan

Biaya Gerbang-Sour  

6.4

 

nC

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang  

9.6

 

nC

td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan

VGEN=10V

VDD = 30V

ID=1A

RG=6Ω

RL = 30Ω

  17  

ns

tr

Nyalakan Waktu Naik  

9

 

ns

td (mati)

Waktu Tunda Matikan   58  

ns

tf

Matikan Waktu Musim Gugur   14  

ns

Rg

Resistensi gerbang

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamis        

Cis

Dalam Kapasitansi

VGS = 0V

VDS=30Vf=1MHz

 

2100

 

pF

Cos

Keluar Kapasitansi   140  

pF

Krs

Kapasitansi Transfer Terbalik   100  

pF

Karakteristik Dioda Sumber Pembuangan dan Peringkat Maksimum        

IS

Sumber Arus Kontinyu

VG=VD=0V, Arus Paksa

   

18

A

ALIRAN

Sumber Berdenyut Saat Ini3    

35

A

VSDd

Tegangan Maju Dioda

ISD = 20A , VGS = 0V

 

0,8

1.3

V

tr

Membalikkan Waktu Pemulihan

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Membalikkan Biaya Pemulihan   33  

nC


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami