WSD45N10GDN56 N-saluran 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD45N10GDN56 adalah 100V, arus 45A, resistansi 14,5mΩ, saluran N-channel, dan paketnya adalah DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.
WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC966X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 100 | V |
| VGS | Gerbang-Source Tegangan | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Arus Pembuangan Berdenyut | 130 | A |
| EASb | Energi Longsor Pulsa Tunggal | 169 | mJ |
| IASb | Arus Longsor | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipasi Daya Total | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Disipasi Daya Total | 5.0 | W |
| TSTG | Kisaran Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian | -55 hingga 150 | ℃ |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Koefisien Suhu BVDSS | Referensi ke 25℃, SAYAD=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIF)d | Resistansi Sumber Drain Statis2 | VGS=10V , SAYAD=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, SAYAD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Koefisien Suhu | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Resistensi Gerbang | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Total Biaya Gerbang (10V) | VDS=50V, VGS=10V , SAYAD=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 12 | --- | ||
| Td (aktif)e | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=30V, VJENDERAL=10V, RG=6Ω ID=1A ,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tiga | Waktu Bangkit | --- | 9 | 17 | ||
| Td (mati)e | Waktu Tunda Matikan | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Waktu Musim Gugur | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Kapasitansi Masukan | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Karena | Kapasitansi Keluaran | --- | 215 | --- | ||
| Sial | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 42 | --- |
