WSD4280DN22 Saluran P Ganda -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

produk

WSD4280DN22 Saluran P Ganda -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:

Nomor Bagian:WSD4280DN22

BVDSS:-15V

PENGENAL:-4.6A

RDSON:47mΩ 

Saluran:Saluran P ganda

Kemasan:DFN2X2-6L


Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD4280DN22 adalah -15V, arus -4,6A, resistansi 47mΩ, saluran Dual P-channel, dan paketnya DFN2X2-6L.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

Sakelar pemblokiran dua arah; Aplikasi konversi DC-DC; Pengisian baterai Li; MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisian nirkabel, MOSFET pengisian mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

PANJIT MOSFET PJQ2815

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

-15

V

VGS

Tegangan Sumber Gerbang

±8

V

ID@Tc=25℃

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS= -4.5V1 

-4.6

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyut 300μS, (VGS=-4.5V)

-15

A

PD 

Penurunan Disipasi Daya di atas TA = 25°C (Catatan 2)

1.9

W

TSTG,TJ 

Kisaran Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

RθJA

Persimpangan Tahan Panas-ambien1

65

℃/W

RθJC

Kotak Persimpangan Tahan Panas1

50

℃/W

Karakteristik Listrik (TJ=25 ℃, kecuali dinyatakan lain)

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS 

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=-250uA

-15

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Koefisien Suhu BVDSS Referensi ke 25℃ , ID=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2  VGS=-4.5V , SAYAD=-1A

---

47

61

VGS=-2.5V , SAYAD=-1A

---

61

80

VGS=-1.8V , SAYAD=-1A

---

90

150

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=-250uA

-0,4

-0,62

-1.2

V

△VGS(th) 

VGS(th)Koefisien Suhu

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±12V, VDS=0V

---

---

±100

nA

pacar

Transkonduktansi Maju VDS=-5V , SAYAD=-1A

---

10

---

S

Rg 

Resistensi Gerbang VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

2

---

Ω

Qg 

Total Biaya Gerbang (-4.5V)

VDS=-10V, VGS=-4.5V , SAYAD=-4.6A

---

9.5

---

nC

Qgs 

Biaya Gerbang-Sumber

---

1.4

---

Qgd 

Biaya Pembuangan Gerbang

---

2.3

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=-10V,VGS=-4.5V, RG=1Ω

ID=-3.9A,

---

15

---

ns

Tr 

Waktu Bangkit

---

16

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

30

---

Tf 

Waktu Musim Gugur

---

10

---

Ciss 

Kapasitansi Masukan VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz

---

781

---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

98

---

Crss 

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

96

---


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami