WSD4098 Dual N-saluran 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Deskripsi Umum
WSD4098DN56 adalah MOSFET Dual N-Ch parit kinerja tertinggi dengan kepadatan sel sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron. WSD4098DN56 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan. 100% EAS dijamin dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.
Fitur
Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan
Aplikasi
Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi, Konverter Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Daya DC-DC Jaringan, Sakelar Beban, Rokok Elektrik, Pengisian Daya Nirkabel, Motor, Drone, Perawatan Medis, Pengisi Daya Mobil, Pengendali, Digital produk, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen.
nomor bahan yang sesuai
AOS AON6884
Parameter penting
Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan | |
Peringkat Umum | ||||
VDSS | Tegangan Sumber Pembuangan | 40 | V | |
VGSS | Tegangan Sumber Gerbang | ±20 | V | |
TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | °C | |
TSTG | Kisaran Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | °C | |
IS | Arus Maju Kontinu Dioda | TA=25°C | 11.4 | A |
ID | Arus Pembuangan Terus Menerus | TA=25°C | 22 | A |
TA=70°C | 22 | |||
saya DM b | Arus Pembuangan Pulsa Diuji | TA=25°C | 88 | A |
PD | Disipasi Daya Maksimum | T.=25°C | 25 | W |
TC=70°C | 10 | |||
RqJL | Persimpangan Resistensi Termal ke Timbal | Keadaan Stabil | 5 | °C/W |
RqJA | Resistensi Termal-Persimpangan ke Ambien | t £ 10 detik | 45 | °C/W |
Keadaan Stabil b | 90 | |||
saya SEBAGAI d | Arus Longsor, Pulsa Tunggal | L = 0,5mH | 28 | A |
EAS d | Energi Longsor, Pulsa tunggal | L = 0,5mH | 39.2 | mJ |
Simbol | Parameter | Kondisi Tes | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan | |
Karakteristik Statis | |||||||
BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
IDSS | Arus Pembuangan Tegangan Gerbang Nol | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
IGSS | Arus Kebocoran Gerbang | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
R DS(ON) e | Resistensi Sumber Drain pada Negara | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | mw | |
VGS=4.5V, IDS=12A | - | 9.0 | 11 | ||||
Karakteristik Dioda | |||||||
V SD e | Tegangan Maju Dioda | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.1 | V | |
tr | Membalikkan Waktu Pemulihan | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
Qrr | Membalikkan Biaya Pemulihan | - | 13 | - | nC | ||
Karakteristik Dinamis f | |||||||
RG | Resistensi Gerbang | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 2.5 | - | W | |
Cis | Kapasitansi Masukan | VGS=0V, VDS = 20V, Frekuensi = 1,0MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
Cos | Kapasitansi Keluaran | - | 317 | - | |||
Krs | Kapasitansi Transfer Terbalik | - | 96 | - | |||
td(AKTIF) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD = 20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
tr | Nyalakan Waktu Naik | - | 8 | - | |||
td (MATI) | Waktu Tunda Matikan | - | 30 | - | |||
tf | Matikan Waktu Musim Gugur | - | 21 | - | |||
Karakteristik Muatan Gerbang f | |||||||
Qg | Total Biaya Gerbang | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
Qg | Total Biaya Gerbang | VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
Qgth | Biaya Gerbang Ambang Batas | - | 2.6 | - | |||
Pertanyaan | Biaya Gerbang-Sumber | - | 4.7 | - | |||
Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | - | 3 | - |