WSD4076DN56 N-saluran 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD4076DN56 N-saluran 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor Bagian:WSD4076DN56

BVDSS:40V

PENGENAL:76A

RDSON:6,9mΩ 

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8


Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD4076DN56 adalah 40V, arus 76A, resistansi 6,9mΩ, saluran N-channel, dan paketnya adalah DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET peralatan kecil, MOSFET peralatan genggam, MOSFET motor.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

STMikroelektronik MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semikonduktor MOSFET PDC496X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

40

V

VGS

Gerbang-Source Tegangan

±20

V

ID@TC=25

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V

33

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyuta

125

A

EA

Energi Longsor Pulsa Tunggalb

31

mJ

SAYA SEBAGAI

Arus Longsor

31

A

PD@Ta=25

Disipasi Daya Total

1.7

W

TSTG

kisaran suhu penyimpanan

-55 hingga 150

TJ

Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian

-55 hingga 150

 

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi ke 25, SAYAD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS = 10V , SAYAD=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS = 4.5V , SAYAD=10A

---

10

15

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

pacar

Transkonduktansi Maju VDS=5V, SAYAD=20A

---

18

---

S

Rg

Resistensi Gerbang VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Total Biaya Gerbang (10V) VDS=20V, VGS=4.5V , SAYAD=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Biaya Gerbang-Sumber

---

3.0

---

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang

---

1.2

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=15V, VJENDERAL=10V, RG=3.3Ω, SAYAD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Waktu Bangkit

---

5.6

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

20

---

Tf

Waktu Musim Gugur

---

11

---

Ciss

Kapasitansi Masukan VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

185

---

Crss

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

38

---


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami