WSD4018DN22 Saluran P -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

produk

WSD4018DN22 Saluran P -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:

Nomor Bagian:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

PENGENAL:-18A

RDSON:26mΩ 

Saluran:saluran-P

Kemasan:DFN2X2-6L


Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD4018DN22 adalah -40V, arus -18A, resistansi 26mΩ, saluran P-channel, dan paketnya DFN2X2-6L.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

Teknologi Parit kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek Cdv/dt yang sangat baik Tersedia Perangkat Hijau, Peralatan pengenalan wajah MOSFET, MOSFET rokok elektrik, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET pengisi daya mobil.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

-40

V

VGS

Tegangan Sumber Gerbang

±20

V

ID@Tc=25℃

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc=70℃

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ -10V1

-14.6

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyut 300μS, VGS=-4.5V2

54

A

PD@Tc=25℃

Disipasi Daya Total3

19

W

TSTG

Kisaran Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

TJ

Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian

-55 hingga 150

Karakteristik Listrik (TJ=25 ℃, kecuali dinyatakan lain)

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=-250uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Koefisien Suhu BVDSS Referensi ke 25℃ , ID=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS=-10V , SAYAD=-8.0A

---

26

34

VGS=-4.5V , SAYAD=-6.0A

---

31

42

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=-250uA

-1.0

-1.5

-3.0

V

△VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Total Biaya Gerbang (-4.5V) VDS=-20V, VGS=-10V , SAYAD=-1,5A

---

27

---

nC

Qgs

Biaya Gerbang-Sumber

---

2.5

---

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang

---

6.7

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω , RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Waktu Bangkit

---

11

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

54

---

Tf

Waktu Musim Gugur

---

7.1

---

Ciss

Kapasitansi Masukan VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

116

---

Crss

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

97

---


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami