WSD40120DN56G N-saluran 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD40120DN56G N-saluran 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:

Nomor Bagian:WSD40120DN56G

BVDSS:40V

PENGENAL:120A

RDSON:1,4mΩ 

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8


Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD40120DN56G adalah 40V, arus 120A, resistansi 1,4mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC496X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

40

V

VGS

Gerbang-Source Tegangan

±20

V

ID@TC=25

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V1

82

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyut2

400

A

EA

Energi Longsor Pulsa Tunggal3

400

mJ

IAS

Arus Longsor

40

A

PD@TC=25

Disipasi Daya Total4

125

W

TSTG

Kisaran Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

TJ

Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian

-55 hingga 150

 

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi ke 25, SAYAD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS = 10V , SAYAD=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS = 4.5V , SAYAD=20A

---

2.0

2.6

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

pacar

Transkonduktansi Maju VDS=5V, SAYAD=20A

---

53

---

S

Rg

Resistensi Gerbang VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Total Biaya Gerbang (10V) VDS=15V, VGS=10V , SAYAD=20A

---

45

---

nC

Qgs

Biaya Gerbang-Sumber

---

12

---

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang

---

18.5

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=15V, VJENDERAL=10V, RG=3.3Ω, SAYAD=20A ,RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Waktu Bangkit

---

9

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

58.5

---

Tf

Waktu Musim Gugur

---

32

---

Ciss

Kapasitansi Masukan VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 3972 ---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

1119 ---

Crss

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

82

---

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami