WSD30L88DN56 Saluran P Ganda -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD30L88DN56 Saluran P Ganda -30V -49A DFN5*6-8 Gambar Unggulan WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5mΩ

PENGENAL:-49A

Saluran:Saluran P ganda

Kemasan:DFN5*6-8

Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSD30L88DN56 adalah -30V, arusnya-49A, resistansinya 11,5mΩ, salurannya adalah saluran P Ganda, dan paketnya adalah DFN5*6-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengisian daya nirkabel, motor, drone, perawatan medis, pengisi daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSD30L88DN56 adalah parit kinerja tertinggi Dual P-Ch MOSFET dengan kepadatan sel yang sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSD30L88DN56 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan. 100% EAS dijamin dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

Fitur

Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin 100% EAS, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

Aplikasi

Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi, Konverter Buck untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Tenaga DC-DC Jaringan, Sakelar Beban, Rokok Elektrik, Pengisian Daya Nirkabel, Motor, Drone, Perawatan Medis, Pengisi Daya Mobil, Pengendali, Digital produk, peralatan rumah tangga kecil, elektronik konsumen.

nomor bahan yang sesuai

AOS

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	-30	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2	-120	A
EA	Energi Longsor Pulsa Tunggal3	68	mJ
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total4	40	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150	℃