WSD3023DN56 N-Ch dan P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

PENGENAL:14A/-12A

Saluran:N-Ch dan P-Channel

Kemasan:DFN5*6-8

Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSD3023DN56 adalah 30V/-30V, arus 14A/-12A, resistansi 14mΩ/23mΩ, salurannya N-Ch dan P-Channel, dan paketnya adalah DFN5*6-8.

Aplikasi:Drone, motor, elektronik otomotif, peralatan utama.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSD3023DN56 adalah MOSFET N-ch dan P-ch parit berkinerja tertinggi dengan kepadatan sel yang sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSD3023DN56 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan. 100% EAS dijamin dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

Fitur

Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

Aplikasi

Konverter Buck Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Tenaga DC-DC Jaringan, Inverter Lampu Belakang CCFL, Drone, motor, elektronik otomotif, peralatan utama.

nomor bahan yang sesuai

PANJIT PJQ5606

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat		Satuan
Simbol	Parameter	N-Bab	P-Ch	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	30	-30	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	±20	V
ID	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9.7	A
pengungsi a	Arus Pembuangan Pulsa Diuji, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EA c	Energi Longsoran, Pulsa tunggal, L=0,5mH	20	20	mJ
IAS c	Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH	9	-9	A
PD	Disipasi Daya Total, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 175	-55 hingga 175	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	175	175	℃
RqJA b	Ketahanan Termal-Persimpangan ke Ambien, Kondisi Mantap	60	60	℃/W
RqJC	Resistansi Termal-Persimpangan ke Kasus, Kondisi Mantap	6.25	6.25	℃/W

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(ON)d	Resistansi Sumber Drain Statis	VGS=10V, ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(ON)d	Resistansi Sumber Drain Statis	VGS=4.5V, ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistensi Gerbang	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Total Biaya Gerbang	VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Biaya Gerbang-Sumber		---	1.0	---
Qgde	Biaya Pembuangan Gerbang		---	2.8	---
Td(pada)e	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tiga	Waktu Bangkit		---	8.6	---
Td (mati) e	Waktu Tunda Matikan		---	16	---
Tfe	Waktu Musim Gugur		---	3.6	---
Cisse	Kapasitansi Masukan	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	545	---	pF
Karena	Kapasitansi Keluaran		---	95	---
Sial	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	55	---