WSD3023DN56 N-Ch dan P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD3023DN56 N-Ch dan P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:


  • Nomor Model:WSD3023DN56
  • BVDSS:30V/-30V
  • RDSON:14mΩ/23mΩ
  • PENGENAL:14A/-12A
  • Saluran:N-Ch dan P-Channel
  • Kemasan:DFN5*6-8
  • Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSD3023DN56 adalah 30V/-30V, arus 14A/-12A, resistansi 14mΩ/23mΩ, salurannya N-Ch dan P-Channel, dan paketnya adalah DFN5*6-8.
  • Aplikasi:Drone, motor, elektronik otomotif, peralatan utama.
  • Detail Produk

    Aplikasi

    Label Produk

    Deskripsi Umum

    WSD3023DN56 adalah MOSFET N-ch dan P-ch parit berkinerja tertinggi dengan kepadatan sel yang sangat tinggi, yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron. WSD3023DN56 memenuhi persyaratan RoHS dan Produk Ramah Lingkungan. 100% EAS dijamin dengan keandalan fungsi penuh yang disetujui.

    Fitur

    Teknologi Parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, Pengisian Gerbang Super Rendah, Penurunan efek CdV/dt yang luar biasa, Dijamin EAS 100%, Tersedia Perangkat Ramah Lingkungan.

    Aplikasi

    Konverter Buck Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Tenaga DC-DC Jaringan, Inverter Lampu Belakang CCFL, Drone, motor, elektronik otomotif, peralatan utama.

    nomor bahan yang sesuai

    PANJIT PJQ5606

    Parameter penting

    Simbol Parameter Peringkat Satuan
    N-Bab P-Ch
    VDS Tegangan Sumber Pembuangan 30 -30 V
    VGS Tegangan Sumber Gerbang ±20 ±20 V
    ID Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS(NP)=10V,Ta=25℃ 14* -12 A
    Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS(NP)=10V,Ta=70℃ 7.6 -9.7 A
    pengungsi a Arus Pembuangan Pulsa Diuji, VGS(NP)=10V 48 -48 A
    EA c Energi Longsoran, Pulsa tunggal, L=0,5mH 20 20 mJ
    IAS c Arus Longsor, Pulsa tunggal, L=0,5mH 9 -9 A
    PD Disipasi Daya Total, Ta=25℃ 5.25 5.25 W
    TSTG Kisaran Suhu Penyimpanan -55 hingga 175 -55 hingga 175
    TJ Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian 175 175
    RqJA b Resistansi Termal-Persimpangan ke Ambien, Kondisi Mantap 60 60 ℃/W
    RqJC Resistansi Termal-Persimpangan ke Kasus, Kondisi Mantap 6.25 6.25 ℃/W
    Simbol Parameter Kondisi Minimal. Ketik. Maks. Satuan
    BVDSS Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    RDS(ON)d Resistansi Sumber Drain Statis VGS=10V, ID=8A --- 14 18.5
    VGS=4.5V, ID=5A --- 17 25
    VGS(th) Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, ID=250uA 1.3 1.8 2.3 V
    IDSS Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=20V , VGS=0V , TJ=85℃ --- --- 30
    IGSS Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Resistensi Gerbang VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.7 3.4 Ω
    Qge Total Biaya Gerbang VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A --- 5.2 --- nC
    Qgse Biaya Gerbang-Sumber --- 1.0 ---
    Qgde Biaya Pembuangan Gerbang --- 2.8 ---
    Td(pada)e Waktu Tunda Pengaktifan VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. --- 6 --- ns
    Tiga Waktu Bangkit --- 8.6 ---
    Td (mati) e Waktu Tunda Matikan --- 16 ---
    Tfe Waktu Musim Gugur --- 3.6 ---
    Cisse Kapasitansi Masukan VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 545 --- pF
    Karena Kapasitansi Keluaran --- 95 ---
    Sial Kapasitansi Transfer Terbalik --- 55 ---

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami