WSD30160DN56 N-saluran 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD30160DN56 adalah 30V, arus 120A, resistansi 1,9mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisi daya nirkabel, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.
WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi, MOSFET FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
MOSFET NIKO-SEM PKE1BB.
POTENS Semikonduktor MOSFET PDC392X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 30 | V |
| VGS | Gerbang-Source Tegangan | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Arus Pembuangan Berdenyut2 | 300 | A |
| EA | Energi Longsor Pulsa Tunggal3 | 128 | mJ |
| SAYA SEBAGAI | Arus Longsor | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipasi Daya Total4 | 62.5 | W |
| TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian | -55 hingga 150 | ℃ |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaD=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSKoefisien Suhu | Referensi ke 25℃, SAYAD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIF) | Resistansi Sumber Drain Statis2 | VGS=10V , SAYAD=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4.5V , SAYAD=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, SAYAD=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Koefisien Suhu | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| pacar | Transkonduktansi Maju | VDS=5V, SAYAD=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Resistensi Gerbang | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Total Biaya Gerbang (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V , SAYAD=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 13 | --- | ||
| Td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=15V, VJENDERAL=10V, RG=6Ω, SAYAD=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Waktu Bangkit | --- | 23 | --- | ||
| Td (mati) | Waktu Tunda Matikan | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Waktu Musim Gugur | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Kapasitansi Masukan | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Cos | Kapasitansi Keluaran | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 530 | --- |
