WSD30140DN56 N-saluran 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD30140DN56 N-channel 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Gambar Unggulan

Deskripsi Singkat:

Nomor model:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7mΩ

PENGENAL:85A

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5*6-8

Produk Musim Panas:Tegangan MOSFET WSD30140DN56 adalah 30V, arus 85A, resistansi 1,7mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5*6-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengisi daya nirkabel, drone, perawatan medis, pengisi daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan kecil, elektronik konsumen, dll.

Kirim email ke kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Gambaran umum

WSD30140DN56 adalah MOSFET saluran N parit berkinerja tertinggi dengan kepadatan sel sangat tinggi yang memberikan RDSON dan muatan gerbang yang sangat baik untuk sebagian besar aplikasi konverter buck sinkron.WSD30140DN56 mematuhi persyaratan RoHS dan produk ramah lingkungan, jaminan EAS 100%, keandalan fungsi penuh disetujui.

Fitur

Teknologi parit dengan kepadatan sel tinggi yang canggih, muatan gerbang ultra-rendah, redaman efek CdV/dt yang luar biasa, jaminan EAS 100%, tersedia perangkat ramah lingkungan

Aplikasi

Sinkronisasi titik beban frekuensi tinggi, konverter buck, sistem daya DC-DC jaringan, aplikasi alat listrik, rokok elektronik, pengisian daya nirkabel, drone, perawatan medis, pengisian daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan kecil, elektronik konsumen

nomor bahan yang sesuai

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.PADA NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENSI PDC3803R

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	30	V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±20	V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2	300	A
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total4	50	W
TSTG	kisaran suhu penyimpanan	-55 hingga 150	℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150	℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=4.5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID=250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
pacar	Transkonduktansi Maju	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Total Biaya Gerbang (4.5V)	VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A	---	26	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	9.5	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	11.4	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	6	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	38.5	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	10	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz	---	3000	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	1280	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	160	---