WSD25280DN56G N-saluran 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD25280DN56G adalah 25V, arus 280A, resistansi 0,7mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
Sinkronisasi Titik Beban Frekuensi Tinggi、Konverter Uang、Jaringan Sistem Tenaga DC-DC、Aplikasi Alat Listrik, MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisian nirkabel, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.
WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
MOSFET Nxperian PSMN1R-4ULD.
POTENS Semikonduktor MOSFET PDC262X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 25 | V |
| VGS | Gerbang-Source Tegangan | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Arus Pembuangan Terus Menerus（Silikon Terbatas）1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Arus Pembuangan Berkelanjutan (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Arus Pembuangan Berdenyut2 | 600 | A |
| EA | Energi Longsor Pulsa Tunggal3 | 1200 | mJ |
| SAYA SEBAGAI | Arus Longsor | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipasi Daya Total4 | 83 | W |
| TSTG | kisaran suhu penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ |
| TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian | -55 hingga 150 | ℃ |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
| BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaD=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSKoefisien Suhu | Referensi ke 25℃, SAYAD=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(AKTIF) | Resistansi Sumber Drain Statis2 | VGS=10V , SAYAD=20A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS=4.5V , SAYAD=20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, SAYAD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Koefisien Suhu | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| pacar | Transkonduktansi Maju | VDS=5V, SAYAD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Resistensi Gerbang | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Total Biaya Gerbang (4.5V) | VDS=15V, VGS=4.5V , SAYAD=20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 24 | --- | ||
| Td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=15V, VJENDERAL=10V ,RG=1Ω, SAYAD=10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Waktu Bangkit | --- | 55 | --- | ||
| Td (mati) | Waktu Tunda Matikan | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Waktu Musim Gugur | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Kapasitansi Masukan | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Cos | Kapasitansi Keluaran | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 650 | --- |
