WSD25280DN56G N-saluran 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD25280DN56G N-saluran 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:

Nomor Bagian:WSD25280DN56G

BVDSS:25V

PENGENAL:280A

RDSON:0,7mΩ 

Saluran:saluran-n

Kemasan:DFN5X6-8


Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan MOSFET WSD25280DN56G adalah 25V, arus 280A, resistansi 0,7mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

Sinkronisasi Titik Beban Frekuensi TinggiKonverter UangJaringan Sistem Tenaga DC-DCAplikasi Alat Listrik, MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengisian daya nirkabel, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pengisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya

MOSFET Nxperian PSMN1R-4ULD.

POTENS Semikonduktor MOSFET PDC262X.

Parameter MOSFET

Simbol

Parameter

Peringkat

Satuan

VDS

Tegangan Sumber Pembuangan

25

V

VGS

Gerbang-Source Tegangan

±20

V

ID@TC=25

Arus Pembuangan Terus MenerusSilikon Terbatas1,7

280

A

ID@TC=70

Arus Pembuangan Berkelanjutan (Silicon Limited1,7

190

A

IDM

Arus Pembuangan Berdenyut2

600

A

EA

Energi Longsor Pulsa Tunggal3

1200

mJ

IAS

Arus Longsor

100

A

PD@TC=25

Disipasi Daya Total4

83

W

TSTG

Kisaran Suhu Penyimpanan

-55 hingga 150

TJ

Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian

-55 hingga 150

 

Simbol

Parameter

Kondisi

Minimal.

Ketik.

Maks.

Satuan

BVDSS

Tegangan Kerusakan Sumber Saluran VGS=0V, sayaD=250uA

25

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi ke 25, SAYAD=1mA

---

0,022

---

V/

RDS(AKTIF)

Resistansi Sumber Drain Statis2 VGS=10V , SAYAD=20A

---

0,7

0,9 mΩ
VGS=4.5V , SAYAD=20A

---

1.4

1.9

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, SAYAD=250uA

1.0

---

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=20V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=20V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

pacar

Transkonduktansi Maju VDS=5V, SAYAD=10A

---

40

---

S

Rg

Resistensi Gerbang VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Total Biaya Gerbang (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V , SAYAD=20A

---

72

---

nC

Qgs

Biaya Gerbang-Sumber

---

18

---

Qgd

Biaya Pembuangan Gerbang

---

24

---

Td (aktif)

Waktu Tunda Pengaktifan VDD=15V, VJENDERAL=10V ,RG=1Ω, SAYAD=10A

---

33

---

ns

Tr

Waktu Bangkit

---

55

---

Td (mati)

Waktu Tunda Matikan

---

62

---

Tf

Waktu Musim Gugur

---

22

---

Ciss

Kapasitansi Masukan VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

7752

---

pF

Cos

Kapasitansi Keluaran

---

1120

---

Crss

Kapasitansi Transfer Terbalik

---

650

---

 

 


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami