WSD20L120DN56 Saluran P -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5*6-8 Gambar Unggulan WINSOK MOSFET

deskripsi singkat:

Nomor Model:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2,1mΩ

PENGENAL:-120A

Saluran:saluran-P

Kemasan:DFN5*6-8

Produk Musim Panas:MOSFET WSD20L120DN56 beroperasi pada -20 volt dan menarik arus -120 amp. Ia memiliki ketahanan 2,1 miliohm, saluran P, dan hadir dalam paket DFN5*6-8.

Aplikasi:Rokok elektrik, pengisi daya nirkabel, motor, drone, peralatan medis, pengisi daya mobil, pengontrol, perangkat digital, peralatan kecil, dan elektronik konsumen.

Kirim email ke kami PDF

Detail Produk

Aplikasi

Label Produk

Deskripsi Umum

WSD20L120DN56 adalah MOSFET P-Ch berkinerja terbaik dengan struktur sel kepadatan tinggi, memberikan RDSON dan muatan gerbang yang luar biasa untuk sebagian besar penggunaan konverter buck sinkron. WSD20L120DN56 memenuhi 100% persyaratan EAS untuk RoHS dan produk ramah lingkungan, dengan persetujuan keandalan fungsi penuh.

Fitur

1, Teknologi parit kepadatan sel tinggi yang canggih
2, Biaya Gerbang Super Rendah
3, penurunan efek CdV/dt yang luar biasa
4, 100% EAS Dijamin 5, Perangkat Ramah Lingkungan Tersedia

Aplikasi

Konverter Buck Sinkron Titik Beban Frekuensi Tinggi untuk MB/NB/UMPC/VGA, Jaringan Sistem Daya DC-DC, Sakelar Beban, Rokok Elektrik, Pengisi Daya Nirkabel, Motor, Drone, Medis, Pengisi Daya Mobil, Pengontrol, Produk Digital, Peralatan Rumah Tangga Kecil, Elektronik Konsumen.

nomor bahan yang sesuai

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Parameter penting

Simbol	Parameter	Peringkat		Satuan
Simbol	Parameter	10 detik	Keadaan Stabil	Satuan
VDS	Tegangan Sumber Pembuangan	-20		V
VGS	Tegangan Sumber Gerbang	±10		V
ID@TC=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Arus Pembuangan Terus Menerus, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Arus Pembuangan Berdenyut2	-340		A
EA	Energi Longsor Pulsa Tunggal3	300		mJ
IAS	Arus Longsor	-36		A
PD@TC=25℃	Disipasi Daya Total4	130		W
PD@TA=25℃	Disipasi Daya Total4	6.8	6.25	W
TSTG	Kisaran Suhu Penyimpanan	-55 hingga 150		℃
TJ	Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian	-55 hingga 150		℃

Simbol	Parameter	Kondisi	Minimal.	Ketik.	Maks.	Satuan
BVDSS	Tegangan Kerusakan Sumber Saluran	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi ke 25℃ , ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2	VGS=-4.5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(AKTIF)	Sumber Drain Statis Pada Resistansi2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1.0	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	Koefisien Suhu VGS(th).		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=-20V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran					uA
		VDS=-20V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
pacar	Transkonduktansi Maju	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Resistensi Gerbang	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Total Biaya Gerbang (-4.5V)	VDS=-10V , VGS=-4.5V , ID=-20A	---	100	---	nC
Pertanyaan	Biaya Gerbang-Sumber		---	21	---
Qgd	Biaya Pembuangan Gerbang		---	32	---
Td (aktif)	Waktu Tunda Pengaktifan	VDD=-10V , VGEN=-4.5V , RG=3Ω ID=-1A ,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Waktu Bangkit		---	50	---
Td (mati)	Waktu Tunda Matikan		---	100	---
Tf	Waktu Musim Gugur		---	40	---
Cis	Kapasitansi Masukan	VDS=-10V , VGS=0V , f=1MHz	---	4950	---	pF
Cos	Kapasitansi Keluaran		---	380	---
Krs	Kapasitansi Transfer Terbalik		---	290	---