WSD100N15DN56G N-saluran 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD100N15DN56G adalah 150V, arus 100A, resistansi 6mΩ, saluran N-channel, dan paketnya adalah DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET catu daya medis, MOSFET PD, MOSFET drone, MOSFET rokok elektronik, MOSFET peralatan utama, dan MOSFET perkakas listrik.
Parameter MOSFET
Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan |
VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 150 | V |
VGS | Tegangan Sumber Gerbang | ±20 | V |
ID | Arus Pembuangan Kontinyu, VGS@ 10V(TC=25℃) | 100 | A |
IDM | Arus Pembuangan Berdenyut | 360 | A |
EA | Energi Longsor Pulsa Tunggal | 400 | mJ |
PD | Disipasi Daya Total...C=25℃) | 160 | W |
RθJA | Resistensi termal, persimpangan-ambien | 62 | ℃/W |
RθJC | Ketahanan termal, kotak sambungan | 0,78 | ℃/W |
TSTG | Kisaran Suhu Penyimpanan | -55 hingga 175 | ℃ |
TJ | Kisaran Suhu Persimpangan Pengoperasian | -55 hingga 175 | ℃ |
Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan |
BVDSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS=0V, sayaD=250uA | 150 | --- | --- | V |
RDS(AKTIF) | Resistansi Sumber Drain Statis2 | VGS=10V , SAYAD=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
VGS(th) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS=VDS, SAYAD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
IDSS | Arus Kebocoran Sumber Saluran | VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IGSS | Arus Kebocoran Sumber Gerbang | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Total Biaya Gerbang | VDS=50V, VGS=10V , SAYAD=20A | --- | 66 | --- | nC |
Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | --- | 26 | --- | ||
Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | --- | 18 | --- | ||
Td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VDD=50V,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
Tr | Waktu Bangkit | --- | 98 | --- | ||
Td (mati) | Waktu Tunda Matikan | --- | 55 | --- | ||
Tf | Waktu Musim Gugur | --- | 20 | --- | ||
Ciss | Kapasitansi Masukan | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
Cos | Kapasitansi Keluaran | --- | 1730 | --- | ||
Crss | Kapasitansi Transfer Terbalik | --- | 195 | --- |