WSD100N06GDN56 N-saluran 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Ikhtisar produk WINSOK MOSFET
Tegangan MOSFET WSD100N06GDN56 adalah 60V, arus 100A, resistansi 3mΩ, saluran N-channel, dan paketnya DFN5X6-8.
Area aplikasi WINSOK MOSFET
MOSFET catu daya medis, MOSFET PD, MOSFET drone, MOSFET rokok elektronik, MOSFET peralatan utama, dan MOSFET perkakas listrik.
WINSOK MOSFET sesuai dengan nomor material merek lainnya
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC692X.
Parameter MOSFET
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan | ||
| VDS | Tegangan Sumber Pembuangan | 60 | V | ||
| VGS | Tegangan Sumber Gerbang | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Arus Pembuangan Terus Menerus | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Arus Pembuangan Berdenyut | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Disipasi Daya Maksimum | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Arus Longsor, Pulsa Tunggal | 45 | A | ||
| EA3 | Energi Longsor Pulsa Tunggal | 101 | mJ | ||
| TJ | Suhu Persimpangan Maksimum | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Kisaran Suhu Penyimpanan | -55 hingga 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Persimpangan Ketahanan Termal ke lingkungan | Keadaan Stabil | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Resistensi Termal-Persimpangan ke Kasus | Keadaan Stabil | 1.5 | ℃/W | |
| Simbol | Parameter | Kondisi | Minimal. | Ketik. | Maks. | Satuan | |
| Statis | |||||||
| V(BR)DSS | Tegangan Kerusakan Sumber Saluran | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Arus Pembuangan Tegangan Gerbang Nol | VDS = 48V, VGS = 0V | 1 | μA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Arus Kebocoran Gerbang | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Tentang Karakteristik | |||||||
| VGS(TH) | Tegangan Ambang Gerbang | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS (aktif)2 | Resistensi Sumber Drain pada Negara | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Beralih | |||||||
| Qg | Total Biaya Gerbang | VDS = 30V VGS = 10V ID = 20A | 58 | nC | |||
| Pertanyaan | Biaya Gerbang-Sour | 16 | nC | ||||
| Qgd | Biaya Pembuangan Gerbang | 4.0 | nC | ||||
| td (aktif) | Waktu Tunda Pengaktifan | VGEN=10V VDD = 30V ID = 20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Nyalakan Waktu Naik | 8 | ns | ||||
| td (mati) | Waktu Tunda Matikan | 50 | ns | ||||
| tf | Matikan Waktu Musim Gugur | 11 | ns | ||||
| Rg | Resistensi gerbang | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dinamis | |||||||
| Cis | Dalam Kapasitansi | VGS = 0V VDS=30Vf=1MHz | 3458 | pF | |||
| Cos | Keluar Kapasitansi | 1522 | pF | ||||
| Krs | Kapasitansi Transfer Terbalik | 22 | pF | ||||
| Karakteristik Dioda Sumber Pembuangan dan Peringkat Maksimum | |||||||
| IS1,5 | Sumber Arus Kontinyu | VG=VD=0V, Arus Paksa | 55 | A | |||
| ALIRAN | Sumber Berdenyut Saat Ini3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Tegangan Maju Dioda | ISD = 1A , VGS = 0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| tr | Membalikkan Waktu Pemulihan | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Membalikkan Biaya Pemulihan | 33 | nC | ||||
