FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE MOSFET daya sedang dan rendah

produk

FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE MOSFET daya sedang dan rendah

Deskripsi Singkat:

Nomor Bagian:FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE

Saluran:Saluran P ganda

Kemasan:SOT-23-6L


Rincian produk

Aplikasi

Label Produk

Ikhtisar produk MOSFET

PADA FDC634P tegangan BVDSS adalah -20V, ID arus -3,5A, resistansi internal RDSON adalah 80mΩ

Tegangan VISHAY Si3443DDV BVDSS adalah -20V, ID arus -4A, resistansi internal RDSON adalah 90mΩ

Tegangan NXP PMDT670UPE BVDSS adalah -20V, ID arus 0,55A, resistansi internal RDSON adalah 850mΩ

nomor bahan yang sesuai

Tegangan BVDSS WINSOK WST2011 FET adalah -20V, ID arus -3,2A, resistansi internal RDSON adalah 80mΩ, Dual P-channel, dan paketnya adalah SOT-23-6L.

Bidang aplikasi MOSFET

MOSFET rokok elektrik, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga kecil, MOSFET elektronik konsumen.


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Tulis pesan Anda di sini dan kirimkan kepada kami